[發(fā)明專利]用以形成半導(dǎo)體裝置的中間層絕緣薄膜的方法

無效

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• 申請日: 1997-05-22
• 公開（公告）號: CN1090818C
• 公開（公告）日: 2002-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李相奎
• 申請（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/304;H01L21/306
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 袁炳澤

1.一種用以形成半導(dǎo)體裝置的中間層絕緣薄膜的方法，其包含步驟：

提供一包括較低結(jié)構(gòu)層的半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板具有元件區(qū)域和周邊區(qū)域，在元件區(qū)域和周邊區(qū)域之間具有高臺階覆蓋；

在該較低結(jié)構(gòu)層的整個上表面之上形成一第一中間層絕緣薄膜并且將該第一中間層絕緣薄膜做熱處理，上述第一中間絕緣薄膜具有第一蝕刻選擇性；

在第一中間層絕緣薄膜上形成高密度的等離子體氧化物薄膜，該高密度的等離子體氧化物薄膜具有與第一蝕刻選擇性不同的第二蝕刻選擇性；

在高密度的等離子體氧化物薄膜上形成第二中間層絕緣薄膜并且將該該第二中間層絕緣薄膜做熱處理，上述第二中間層絕緣薄膜具有第一蝕刻選擇性；以及

利用化學(xué)機(jī)械拋光工藝蝕刻第二中間層絕緣薄膜、高密度的等離子體氧化物薄膜和第一中間層絕緣薄膜以平坦化，而暴露出在較低結(jié)構(gòu)的周邊區(qū)域的高密度的等離子體氧化物薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜是由硼磷硅玻璃所形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜是利用一種常壓的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的O₃-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜是利用一種低壓的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的O₃-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜是利用一種等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的氧化硅薄膜所形成的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜被淀積大約為1000至5000埃的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一中間層絕緣薄膜在大約為700至900℃的溫度下被熱處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層絕緣薄膜是利用一種電子回旋加速器的化學(xué)氣相淀積技術(shù)在范圍從約為10¹⁰至10¹²個離子/厘米²的等離子體密度下由一高密的等離子體氧化物薄膜所形成的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該高密度的等離子體氧化物薄膜是利用一種螺旋波的化學(xué)氣相淀積技術(shù)所形成的。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該高密度的等離子體氧化物薄膜是利用一種電感耦合的等離子體化學(xué)氣相淀積技術(shù)所形成的。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該高密度的等離子體氧化物薄膜被形成大約為500至3000埃的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層層絕緣薄膜是由硼磷硅玻璃所形成的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層絕緣薄膜是利用一種常壓的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的O₃-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層絕緣薄膜是利用一種低壓的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的O₃-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。

15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層絕緣薄膜是利用一種等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相淀積技術(shù)的氧化硅薄膜所形成的。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二中間層絕緣薄膜被淀積大約為2000至10000埃的厚度。

17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該化學(xué)機(jī)械拋光工藝是在一拋光頭的壓力被設(shè)為5到7psi、旋轉(zhuǎn)速度為20至50rpm、該平臺的桌面速度為15至40rpm以及該拋光頭的背壓為0到2psi的情況下被進(jìn)行的。

18.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該化學(xué)機(jī)械拋光工藝借助于利用一種選自KOH或是NH₄OH的堿性懸浮物而被進(jìn)行。