[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 97110564.2
• 申請日: 1997-04-18
• 公開（公告）號: CN1175090A
• 公開（公告）日: 1998-03-04
• 發明（設計）人: 栗山祐忠;塘一仁
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L27/10;H01L27/11
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1.一種半導體器件，其特征在于：具有在半導體襯底上形成的第一導電膜、在該第一導電膜上將第一絕緣膜夾在中間形成的第二導電膜、在該第二導電膜上將第二絕緣膜夾在中間形成的第三導電膜、以及從該第三導電膜開始至少貫穿上述第二絕緣膜和第一絕緣膜到達上述第一導電部分和上述半導體襯底的柱狀連接部分；上述第二導電膜與上述柱狀連接部分在其端面處相接；將上述第二導電膜的厚度形成得比第三導電膜的厚度薄。

2.一種半導體器件，其特征在于：具有在半導體襯底上形成的第一導電膜、在該第一導電膜上將第一絕緣膜夾在中間形成的第二導電膜、在該第二導電膜上將第二絕緣膜夾在中間形成的第三導電膜、以及從該第三導電膜開始至少貫穿上述第二絕緣膜和第一絕緣膜到達上述第一導電部分和上述半導體襯底的柱狀連接部分；上述第二導電膜與上述柱狀連接部分在其端面處相接；將上述第二絕緣膜的厚度形成得比第一絕緣膜的厚度薄。

3.權利要求2中所述的半導體器件，其特征在于：將上述第二導電膜的厚度形成得比第三導電膜的厚度薄。

4.權利要求1至3的任一項中所述的半導體器件，其特征在于：上述第一導電膜的端部伸出到上述柱狀連接部分，而且使其伸出的長度小于上述柱狀連接部分的直徑的1/2。

5.權利要求1至3的任一項中所述的半導體器件，其特征在于：只使上述第一導電膜的端面與上述柱狀連接部分相接。

6.權利要求1至5的任一項中所述的半導體器件，其特征在于：在上述半導體襯底與上述第一導電膜之間形成第三絕緣膜，上述第一導電膜作為襯底晶體管的柵極而形成，上述第二導電膜作為TFT晶體管的溝道用的導電膜而形成，上述第三導電膜作為上述TFT晶體管的柵極而形成。

7.權利要求6中所述的半導體器件，其特征在于：上述半導體襯底具有N型有源層，并用N型多晶硅形成與上述N型有源層相接的上述柱狀連接部分和上述第三導電膜。