[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 97110212.0
• 申請日: 1997-03-25
• 公開（公告）號: CN1167338A
• 公開（公告）日: 1997-12-10
• 發明（設計）人: 豬原正弘;亞南度M·B·;松能正
• 申請（專利權）人: 東芝株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 孫敬國

1.一種半導體器件的制造方法，在半導體基板上，使絕緣膜介于中間的不同層上形成的第1和第2銅布線相互電連接，其特征在于，包括下述工序：配設其周圍由第1銅擴散防止膜包覆的所述第1銅布線的工序；在所述第1銅布線上形成有布線溝的層間絕緣膜的工序；在所述層間絕緣膜表面上形成第2銅擴散防止膜的工序；形成從所述布線溝底部至所述第1銅布線的連接孔的工序；在所述布線溝的底部和側面與所述連接孔的底部和側面上形成第3銅擴散防止膜的工序；通過各向異性蝕刻在所述布線溝側面和所述連接孔側面上保留所述第3銅擴散防止膜，但除去所述連接孔底部的所述第3銅擴散防止膜，使所述第1銅布線露出的工序；借助所述布線溝和所述連接孔中埋設的銅材料、形成與所述第1銅布線進行電氣連接的所述第2銅布線的工序，借助于前述工序，能不通過所述第3銅擴散防止膜、直接連接所述第1銅布線與所述第2銅布線，而且所述連接孔的所述銅材料由所述第3銅擴散防止膜所包覆。

2.一種半導體器件的制造方法，在半導體基片上，使絕緣膜介于中間的不同層上形成的第1及第2銅布線相互電連接，其特征在于，包括下述工序：配設其周圍由第1銅擴散防止膜包覆的所述第1銅布線的工序；順次形成在所述第1銅布線的上面的第1層間絕緣膜、連接孔預定區域開孔的第2銅擴散防止膜以及形成布線溝的第2層間絕緣膜的工序；形成從所述布線溝底部通過所述第2銅擴散防止膜的開孔部分至所述第1銅布線的連接孔的工序；在所述布線溝的底部和側面與所述連接孔的底部和側面上形成第3銅擴散防止膜的工序；通過各向異性蝕刻在所述布線溝側面和所述連接孔側面上保留所述第3銅擴散防止膜，除去所述連接孔底部的所述第3銅擴散防止膜，使所述第1銅布線露出的工序；借助在所述布線溝和所述連接孔中埋設的銅材料、形成與所述第1銅布線進行電氣連接的所述第2銅布線的工序，借助于前述工序，能不通過所述第3銅擴散防止膜直接連接所述第1銅布線與所述第2銅布線，而且所述連接孔的所述銅材料由所述第3銅擴散防止膜所包覆。

3.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：在半導體基片上，通過絕緣膜形成周圍有由第1布線材料擴散防止膜包覆的第1布線的布線層的工序；在所述布線層上面層積形成有絕緣性的第1層間絕緣膜層、蝕刻阻擋膜、第2層間絕緣膜層的工序；在所述第2層間絕緣膜上形成第1布線溝的同時，在該第2層間絕緣膜的上面及所述第1布線溝的內表面上形成第2布線材料擴散防止膜的工序；有選擇地除去在所述第1布線溝的底部的所述第2材料擴散防止膜、所述蝕刻阻擋膜、所述第1層間絕緣膜及包覆所述第1布線材料上面的所述第1布線材料擴散防止膜，使所述第1布線露出，由此形成層間連接孔的工序；在所述第2布線材料擴散防止膜表面及所述層間連接孔內側面及所述第1布線材料的上面，形成第3布線材料擴散防止膜的工序；一邊保留在所述層間連接孔內側面及所述第1布線溝側面上的所述第3布線材料擴散防止膜，一邊除去所述第1布線材料上面的第2布線材料擴散防止膜的工序；在所述層間連接孔及所述第1布線溝中埋入第2布線材料的工序。