[發明專利]具有互連與電容器的集成電路的制造方法

無效

• 申請號: 97109724.0
• 申請日: 1997-04-24
• 公開（公告）號: CN1050005C
• 公開（公告）日: 2000-03-01
• 發明（設計）人: 鄭湘原;廖瑛瑞
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/76
• 代理公司: 柳沈知識產權律師事務所
• 代理人: 黃敏

1.一種具有互連與電容器的集成電路的制造方法，其中半導體襯底上具有有源區與隔離的絕緣區，所述方法包含如下步驟：

a)提供一襯底，在該有源區內具有晶體管，該晶體管包含源極區、漏極區和柵極；

b)在該襯底表面上形成一層保護型的氧化層；

c)在該保護型的氧化層上淀積一層層間介電層；

d)在該層間的介電層上形成第一多晶硅層；

e)利用掩模蝕刻該第一多晶硅層與層間介電層，在該源極與漏極區的上方形成第一開窗，該第一開窗是由該第一多晶硅層與該層間介電層的第一側壁所限定的；

f)在該第一側壁上形成第一側壁隔離墊；

g)利用該第一多晶硅與第一側壁隔離墊作為掩模，蝕刻該層間介電層，形成結點接觸窗與位線接觸窗，該結點接觸窗露出該源極區，該位線接觸窗則露出該漏極區；

h)以結點閂柱填滿該結點接觸窗，以位線閂柱填滿該位線接觸窗；

i)在該層間介電層、位線閂柱與結點閂柱上，形成一層多晶硅化合物層；

j)在該多晶硅化合物層上形成一層第一氧化層；

k)制定并蝕刻該第一氧化層、多晶硅化合物層、多晶硅層、第一側壁隔離墊與部分的結點閂柱，形成電容器開窗與位線，該電容器接觸開窗是由該位線、第一氧化層、多晶硅化合物層與多晶硅層所限定的；

l)在該第二側壁上形成第二側壁隔離墊；并且

m)形成一個電極層填滿該第一開窗，并形成通往該結點閂柱的電接觸，從而形成通往該源極區的互連。

2.根據權利要求1的方法，還包含在該電極層上形成一層電容器介電層與一層上電極層，從而形成電容器，完成存儲器單元的步驟。

3.根據權利要求1的方法，其中該第一側壁隔離墊是由多晶硅形成，而該第二側壁隔離墊是由氧化硅形成的。

4.根據權利要求1的方法，其中該多晶硅化合物層是硅化鎢。

5.根據權利要求1的方法，其中該第一側壁所限定的第一開窗寬度為0.25至0.4微米。

6.根據權利要求1的方法，其中該第一側壁隔離墊寬度為500至1000埃。

7.根據權利要求1的方法，其中該保護型的氧化層厚度為500至5000埃。

8.根據權利要求1的方法，其中形成該層間介電層時，首先淀積厚3000至10000埃的氧化硅，然后深蝕刻該層間介電層，使深蝕刻后的該層間介電層厚0至3500埃。

9.根據權利要求1的方法，其中該第一多晶硅層厚1000至3000埃，雜質濃度為每立方公分1×10¹⁹至1×10²¹原子。

10.根據權利要求1的方法，其中該第一氧化層厚500至2000埃。

11.根據權利要求1的方法，其中該第二側壁隔離墊厚300至1500埃。

12.根據權利要求1的方法，其中提供一襯底的步驟按如下步驟進行：

a)在該襯底上形成一層柵極氧化層；

b)在該柵極氧化層上形成一層第一導電層；

c)在該第一導電層上形成一層柵極介電層，該柵極介電層是由氧化硅形成；

d)構圖該柵極氧化層、第一導電層與柵極介電層，在該有源區內形成分隔的柵極，在該絕緣區內形成導電結構；

e)在該襯底表面上形成氧化硅作成的第一絕緣層；

f)各向異性地蝕刻該絕緣層，在該柵極的側壁與該導電結構的側壁上，形成了柵極側壁隔離墊；

g)利用該柵極與該柵極側壁隔離墊作為掩模，在該襯底內注入雜質，形成源極區與漏極區；

13.根據權利要求12的方法，其中該柵極之間的距離為0.25至0.4微米，并且該第一絕緣隔離墊之間的距離為0.2至0.35微米。

14.根據權利要求12的方法，其中該第一導電層是由底下一層多晶硅與上面一層硅化鎢所組成的，該底下的多晶硅層厚500至1500埃，而該上面的硅化鎢層則厚500至1500埃。

15.根據權利要求12的方法，其中該柵極介電層厚500至2000埃，并且該柵極介電層是利用四乙基硅酸鹽的制作過程所形成的氧化硅。