[發(fā)明專利]光學(xué)存儲設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 97102402.2 | 申請日: | 1997-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN1099670C | 公開(公告)日: | 2003-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 正木功;柳茂知 | 申請(專利權(quán))人: | 富士通株式會(huì)社 |
| 主分類號: | G11B7/12 | 分類號: | G11B7/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 蔣世迅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 存儲 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種采用諸如盒式MO等等的可重寫介質(zhì)的光學(xué)存儲設(shè)備,更具體地說,是涉及用于把一個(gè)激光二極管在裝載介質(zhì)時(shí)的光發(fā)射功率有效地調(diào)節(jié)到一個(gè)優(yōu)化功率的光學(xué)存儲設(shè)備。
光盤作為近年來得到迅速發(fā)展的多媒體的主要介質(zhì)的存儲介質(zhì),得到了注意。例如,當(dāng)考慮3.5英寸的盒式MO時(shí),除了傳統(tǒng)的128MB和230MB的盒式MO,近年還提供了540MB和640MB的高密度記錄介質(zhì)。因此,作為光盤驅(qū)動(dòng)器,希望的是該光盤驅(qū)動(dòng)器能夠使用目前能夠獲得的128MB、230MB、540MB和640MB等所有介質(zhì)。在近年已經(jīng)得到迅速推廣的個(gè)人計(jì)算機(jī)中,作為只讀存儲介質(zhì)的緊湊盤(CD)的再現(xiàn)功能是不可缺少的。從空間和成本的角度看,在用于CD的光盤驅(qū)動(dòng)器之外再安裝用于作為可重寫光盤設(shè)備的盒式MO的光盤驅(qū)動(dòng)器,是困難的。在近年,既可以使用盒式MO又可以使用CD的光盤驅(qū)動(dòng)器因而已經(jīng)得到了開發(fā)。在這種CD/MO共同使用類型的光盤驅(qū)動(dòng)器中,對于一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)、一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)、以及一個(gè)控制電路單元來說,它們盡可能既被用于CD又被用于盒式MO。
另一方面,在用于該光盤驅(qū)動(dòng)器中的盒式MO中,介質(zhì)的道被分成區(qū),并采用了ZCAV記錄(區(qū)恒定角速度記錄)—其中區(qū)的扇區(qū)的數(shù)目是相等的。馬達(dá)介質(zhì)的區(qū)的數(shù)目在傳統(tǒng)的128MB介質(zhì)中被設(shè)定為一個(gè)區(qū),而在230MB介質(zhì)中被設(shè)定為10個(gè)區(qū)。另一方面,在已經(jīng)在近年中被實(shí)際使用的540MB或640MB的高密度PWM記錄介質(zhì)中,與記錄密度的改善相關(guān)地,介質(zhì)的道間距變窄且區(qū)的數(shù)目也增大了。即,雖然540MB介質(zhì)中區(qū)的數(shù)目被設(shè)定為18個(gè),640MB介質(zhì)中區(qū)的數(shù)目被設(shè)定為11個(gè),這幾乎是傳統(tǒng)的區(qū)數(shù)的兩個(gè)倍。通常,在采用盒式MO的光盤介質(zhì)的情況下,由于光發(fā)射功率即每一種介質(zhì)的最佳激光二極管記錄功率有不同,所以當(dāng)裝載介質(zhì)時(shí),對每一個(gè)區(qū)都進(jìn)行一個(gè)測試寫入,并執(zhí)行一個(gè)光發(fā)射調(diào)節(jié),以將記錄功率調(diào)節(jié)到最佳值。在傳統(tǒng)的128MB或230MB介質(zhì)中,該記錄是借助坑位置調(diào)節(jié)(PPM)來進(jìn)行的,且只要使激光二極管的光發(fā)射功率在一個(gè)擦除功率和一個(gè)記錄功率兩個(gè)電平之間改變就足夠了。另一方面,在540MB或640MB的PWM記錄介質(zhì)中,采用了借助脈寬調(diào)制(PWM)的記錄以提高記錄密度。在這種脈沖串記錄中,需要在一個(gè)擦除功率、一個(gè)第一寫入功率、和一個(gè)第二寫入功率總共三個(gè)電平之間改變激光二極管的光發(fā)射功率。因此,對于其中區(qū)的數(shù)目增大的540MB或640MB介質(zhì),如果對每一個(gè)區(qū)進(jìn)行激光二極管的光發(fā)射調(diào)節(jié),就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)問題,即除了由于脈沖串記錄而引起的光發(fā)射功率的種類增加之外,還需要較長的時(shí)間來進(jìn)行調(diào)節(jié)。在調(diào)節(jié)激光二極管的光發(fā)射時(shí),與實(shí)際的坑位置調(diào)節(jié)記錄或PWM記錄中的即時(shí)光發(fā)射相比,光發(fā)射是借助一個(gè)缺省值來驅(qū)動(dòng)的,而該缺省值是借助用于其中需要調(diào)節(jié)的較長時(shí)間的固件來指定的。這實(shí)際上使得激光二極管成為直流光發(fā)射的(連續(xù)光發(fā)射)。如果借助高光發(fā)射功率來進(jìn)行光發(fā)射調(diào)節(jié),就會(huì)損壞激光二極管,且這種損壞有加速的危險(xiǎn)。
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G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲
G11B7-00 用光學(xué)方法,例如,用光輻射的熱射束記錄用低功率光束重現(xiàn)的;為此所用的記錄載體
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