[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 97101033.1
• 申請日: 1994-03-26
• 公開（公告）號: CN1077726C
• 公開（公告）日: 2002-01-09
• 發明（設計）人: 平井健裕;田中光男;堀敦;下村浩;堀川良彥
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種制造在半導體襯底上帶有電容器的半導體器件的方法，包括下列步驟：

步驟(1)在一個半導體襯底上形成一個電容器下電極；

步驟(2)在所述電容器下電極上形成一個第一隔離膜；

步驟(3)對所述第一隔離膜進行選擇性腐蝕，以便除去將要形成電容器隔離膜的區域中的那部分第一隔離膜，以形成第一開孔，同時有選擇地除去所述第一隔離膜中將要形成所述電容器下電極之接觸的那個區域，以形成一個第二開孔；

步驟(4)在所述電容器下電極和第一隔離膜上形成一個用作電容器隔離膜的第二隔離膜；

步驟(5)選擇性地腐蝕所述第二隔離膜，以便除去所述第二隔離膜中對應于所述第二開孔底部的部分和對應于所述第一隔離膜之上的所述第二開孔周邊的部分；以及

步驟(6)在所述第一開孔中形成一個電容器上電極，同時在所述第二開孔中形成所述電容器下電極的一個接觸電極。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，在所述步驟(5)中進行的腐蝕操作是各向異性的，而且所述步驟(5)包括一個步驟，即把所述第二隔離膜中對應于所述第二開孔側壁部分的那個部分保留下來。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，在所述步驟(5)中進行的腐蝕操作是各向同性的，而且所述步驟(5)包括一個步驟，即把所述第二隔離膜對應于所述第二開孔側壁部分的那個部分除掉。

4.一種制造在半導體襯底上帶有電容器的半導體器件的方法，包括下列步驟：

步驟(1)在一個半導體襯底上形成一個電容器下電極；

步驟(2)在所述電容器下電極上形成一個第一隔離膜；

步驟(3)對所述第一隔離膜進行選擇性腐蝕，以便把將要形成電容器隔離膜的那個區域的所述第一隔離膜清除掉，以形成一個第一開孔，然后在所述第一開孔的底部形成一個用作電容器隔離膜的第二隔離膜，同時選擇性地腐蝕所述第一隔離膜，以便把將要形成所述電容器下電極接觸的區域內的所述第一隔離膜除掉以形成一個第二開孔；以及

步驟(4)在所述第一開孔中形成一個電容器上電極，同時在所述第二開孔中形成一個所述電容器下電極的接觸電極。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其中，所述步驟(3)包括下列步驟：

選擇性地腐蝕所述第一隔離膜，以便把將要形成電容器隔離膜的區域內和將要形成上述電容器下電極接觸的區域內的所述第一隔離膜清除掉以形成所述第一和第二開孔；以及

在所述第一和第二開孔的底部形成一個用作電容器隔離膜的第二隔離膜，然后清除掉將要形成所述電容器下電極接觸的區域內的所述第二隔離膜。

6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其中，所述步驟(3)包括下列步驟：

選擇性地腐蝕所述第一隔離膜，以便清除掉將要形成電容器隔離膜的區域內的所述隔離膜，以形成所述第一開孔；

在所述第一開孔的底部形成用作電容器隔離膜的第二隔離膜；以及

選擇性地腐蝕所述第一隔離膜，以便清除將要形成所述電容器下電極接觸的區域內的所述第一隔離膜以形成所述第二開孔。

7.一種制造在半導體襯底上帶有電容器的半導體器件的方法，包括下列步驟：

步驟(1)在一個半導體襯底上形成一個電容器下電極；

步驟(2)在所述電容器下電極上形成一個用作電容器隔離膜的第一隔離膜；

步驟(3)在所述第一隔離膜上形成一個第二隔離膜；

步驟(4)在將要形成電容器隔離膜的區域內形成一個第一開孔，其中，除去所述第二隔離膜而留下所述第一隔離膜，同時，在將要形成電容器下電極接觸的區域內形成一個第二開孔，其中的所述第一和第二隔離膜均被除去；以及

步驟(5)在所述第一開孔中形成一個電容器上電極，同時在所述第二開孔中形成所述電容器下電極的一個接觸電極。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，其中，所述步驟(4)包括下列步驟：

選擇性地腐蝕所述第二隔離膜，以便清除將要形成電容器隔離膜的區域內的所述第二隔離膜以形成第一開孔，同時，清除去將要形成所述電容器下電極接觸的區域內的所述第二隔離膜，以形成第二開孔；以及

選擇性地腐蝕所述第一隔離膜，以便清除對應于所述第二開孔底部的那部分所述第一隔離膜。