[發明專利]中間電位產生電路無效
| 申請號: | 96119756.0 | 申請日: | 1996-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN1096118C | 公開(公告)日: | 2002-12-11 |
| 發明(設計)人: | 飛田洋一 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 馬鐵良,蕭掬昌 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 中間 電位 產生 電路 | ||
1.一種中間電位產生電路,包括:
一個可控電位產生電路,該電路包括一個連接在第一電位結點和第二電位結點之間的分壓電路,還包括一串聯連接體,該串聯連接體包括至少一個電阻元件和至少一個二極管連接的MOS晶體管,它們相互串聯連接,用于產生第一和第二輸出電位;
一個連接在所述第一電位結點和一個中間電位輸出結點間的第一極性MOS晶體管,該晶體管的柵極接受對應于所述第一輸出電位的電位;
一個連接在所述中間電位輸出結點和所述第二電位結點之間的第二極性MOS晶體管,該晶體管的柵極接受對應于所述第二輸出電位的電位;
所述二個MOS晶體管的任一個的背柵極連接到其柵極上;
所述第一和第二輸出電位由所述第一與第二極性MOS晶體管的各閾值電壓和所述中間電位結點的電位的函數表示;
所述第一電位結點和第二電位結點之間的電位差等于所述二個MOS晶體管的各自的閾值電壓之和。
2.權利要求1中所述的中間電位產生電路,其特征還在于:
所述二個MOS晶體管的另一個的背柵極連接到其柵極上。
3.權利要求1中所述的中間電位產生電路,其特征還在于:
所述二個MOS晶體管的另一個的背柵極連接到所述中間電位輸出結點上。
4.權利要求1中所述的中間電位產生電路,其特征還在于:
所述二個MOS晶體管的另一個的背柵極連接到二個MOS晶體管的所述任一個的源結點上。
5.權利要求1中所述的中間電位產生電路,其中,所述串聯連接體包括:
二個各具有大致相同的電阻值的電阻器;以及
至少二個各在相同的正向上連接成二極管的MOS晶體管,其中將背柵極連接到其柵極上。
6.權利要求1中所述的中間電位輸出電路,其中,所述串連連接體包括:
連接到所述第一電位結點和第二電位結點之間的第一串聯連接體,該連接體包含第一和第二各具有大致相同的電阻值的電阻器和至少二個各在相同的正向上連接成二極管的、將背柵極連接到其柵極上的第一極性MOS晶體管;
連接在所述第一電位結點和第二電位結點之間的第二串聯連接體,該連接體包含至少二個各在相同的正向上連接成二極管的、將背柵極連接到其柵極的第二極性MOS晶體管和第三和第四具有大致相同的電阻值的電阻器;以及
所述第一電位產生結點連接到所述第一和第二電阻器之間的連接點上,和所述第二電位產生結點連接到所述第三和第四電阻器之間的連接點上。
7.權利要求1中所述的中間電位產生電路,其中,
所述串聯連接體包括:第一電阻器、第一極性MOS晶體管、第二極性MOS晶體管和第二電阻器,該連接體連接在所述第一電位結點和第二電位結點之間;
所述第一電位產生結點連接到所述第一電阻器和第一極性MOS晶體管之間的連接點上,所述第二電位產生結點連接到所述第二電阻器和第二極性MOS晶體管之間的連接點上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





