[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 96113417.8
• 申請日: 1996-09-14
• 公開（公告）號: CN1152799A
• 公開（公告）日: 1997-06-25
• 發明（設計）人: 山崎靖
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/3105
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 蕭掬昌,傅康

1.一種半導體器件，包括：

第一部分，裝有具一定高度的組件；和

第二部分，沒有具一定高度的組件；其特征在于：

所述第一部分有一個層間絕緣膜，其最上面的絕緣膜構成第一層間膜；

所述第二部分的層間絕緣膜由所述第一層間膜和直接敷在所述第一層間膜的第二層間膜組成，第二層間膜的拋光率大于所述第一層間膜；

所述第一部分中的所述層間絕緣膜的表面高于所述第二部分中的所述層間絕緣膜。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一層間膜是未摻雜的氧化硅制成的，所述第二層間膜是摻硼和/或磷的氧化硅制成的。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二部分有一個接觸孔和/或一個通孔通過所述第一層間膜和所述第二層間膜，以該兩層間膜為界，此外還有一個金屬互連件配置在所述第二層間膜上通過所述接觸孔和/或所述通孔與所述第二部分的所述層間絕緣底下的一層導電層連接。

4.一種制造半導體器件的方法，其特征在于，它包括下列步驟：

在具有一定高度的組件的第一部分和無具一定高度的組件的第二部分的半導體基片上形成第一層間膜；

在所述第一層間膜上形成第二層間膜，所述第二層間膜的化學機械拋光率大于所述第一層間膜；和

用化學機械拋光法對第一和第二層間膜進行拋光，使所述第二層間膜完全從所述第一部分清除掉，在所述第二部分部分留下來。