[發明專利]制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法

無效

• 申請號: 96110443.0
• 申請日: 1996-06-30
• 公開（公告）號: CN1146070A
• 公開（公告）日: 1997-03-26
• 發明（設計）人: 金鎮國;樸星昱
• 申請（專利權）人: 現代電子產業株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 柳沈知識產權律師事務所
• 代理人: 楊梧

本發明涉及一種制造半導體器件中的接觸孔的方法，特別涉及在接觸孔中形成絕緣層的隔離層時，防止損耗絕緣層，以便形成開口區域的方法。

隨著高集成化器件的開發，很難形成接觸孔。必須形成精細接觸孔，以便打開下層的預定部分，使內部導電層與另一內部導電層隔開。因此，為了防止導電層之間連通，在形成寬大接觸孔后，廣泛采用在接觸孔中形成隔離層的方法。

圖1A和圖1B是表示按常規方法形成接觸孔的橫截面圖。

如圖1A和圖1B所示，按常規方法提供一器件，它具有硅襯底11，有源區10，絕緣層12和作為隔離層的氧化層13。實際上，有很多導電層形成在絕緣層12內(在圖1A和1B中沒有表示)，然后，在形成接觸孔時，它們被暴露出來。因此，為了將這些導電層與同有源區10相連的導電層相隔離，必需在接觸孔中形成氧化層13。

在形成氧化層13后，如圖1B所示，對其進行各向異性腐蝕工藝，直到露出有源區10。各向異性腐蝕工藝后形成了隔離層13′，并使有源區10露出。此時，絕緣層12中的一部分12′要被各向異性腐蝕損耗掉，因為必須進行過腐蝕處理，以便露出有源層10。

但是，損耗絕緣層可導致填充在接觸孔中的導電層和由于損耗露出的導電層之間電連通。這種不希望的電連接可能引起器件的電失效。

本發明的目的是提供一種制造絕緣隔離層的方法，而且不損耗形成接觸孔的絕緣層。

按照本發明的一個方案，提供一種制造半導體器件中的接觸孔的方法，它包括下列步驟：提供一襯底；在所述襯底上形成第一絕緣層；通過腐蝕第一絕緣層中的一部分形成一接觸孔的開孔，暴露出所述襯底的一部分；在所獲得的結構上形成具有非均勻厚度的第二絕緣層，其中，淀積在所述接觸孔的側壁和底部的所述第二絕緣層厚度薄于所述第一絕緣層上面的第二絕緣層厚度；對所述第二絕緣層進行各向異性腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，以使在所述開孔側壁上形成絕緣隔離層。

按照本發明的另一方案，提供一種制造半導體器件中的接觸孔的方法，包括下列步驟：提供一襯底；在所述襯底上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；通過腐蝕第一和第二絕緣層的一部分形成用作接觸孔的開孔，暴露出所述襯底的一部分；在所獲得的結構上形成具有均勻厚度的第三絕緣層；對所述第三絕緣層進行各向異性腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，以使在所述開孔的側壁上形成絕緣隔離層。

通過參考附圖對實施例的描述，本發明的其它目的和方案將顯而易見，其中；

圖1A和圖1B是說明按常規方法形成接觸孔的過程的橫截面圖；

圖2A和圖2B是說明按本發明一實施例形成接觸孔的過程的橫截面圖；

圖3A和圖3B是說明按本發明另一實施例形成接觸孔的過程的橫截面圖。

下面，參考附圖詳細說明本發明的實施例。

如圖2A所示，在硅襯底21上形成有源區20，通過絕緣層22，例如，BPSG(硼磷硅玻璃)層，PSG(磷硅玻璃)層，氧化層等，露出有源層20。在絕緣層22中形成有導電層(未示出)，然后，這些導電層的側部在接觸孔中露出，如圖1A所示。為了防止在接觸孔中露出這些導電層，利用化學氣相沉積(CVD)方法，淀積絕緣層24，例如BPSG層，PSG層或者氧化層，以便形成隔離層。在本發明中，絕緣層24不具有均勻厚度。也就是說，接觸孔中絕緣層24的厚度必須薄于絕緣層22上的絕緣層24的厚度。表1表示絕緣層24的淀積情況。如表1所示，可利用三種淀積工藝形成絕緣層24，即，LTO(低溫氧化層)淀積，MTO(中溫氧化層)淀積，或LPTEOS(低壓TEOS(四乙氧基硅烷))淀積。

如果絕緣層22和24由相同材料組成，絕緣層24大體上有均勻厚度，通過各向異性腐蝕，會損耗絕緣層11，如上所述，即使絕緣層22是由不同于絕緣層24的材料組成，如果兩層有相同或相似的腐蝕速率，則通過各向異向腐蝕工藝，仍會導致絕緣層22的損耗。因此，在絕緣層22的上面，一定要厚厚地形成絕緣層24。

????表1.接觸(孔)隔離層氧化物淀積條件