[發(fā)明專利]制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 96110443.0 | 申請日： | 1996-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN1146070A | 公開（公告）日： | 1997-03-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金鎮(zhèn)國;樸星昱 | 申請（專利權）人： | 現代電子產業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 柳沈知識產權律師事務所 | 代理人： | 楊梧 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 具有 精細 接觸 半導體器件 方法 | ||
1、一種制造半導體器件接觸孔的方法，包括下列步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上形成一第一絕緣層；
通過腐蝕所述第一絕緣層的一部分，形成接觸孔的開孔，暴露出所述襯底的一部分；
在所獲得的結構上，形成一具有非均勻厚度的第二絕緣層，其中淀積在所述接觸孔側壁和底部上的所述第二絕緣層的厚度薄于在所述第一絕緣層上面的第二絕緣層的厚度；
對所述的第二絕緣層進行各向異性的腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結果，在所述開孔的側壁上形成絕緣隔離層。
2、按照權利要求1所述的方法，其中，所述的第二絕緣層是在0.1-4.0乇的壓強下形成的。
3、按照權利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟在300-500℃溫度下，利用SiH4和O2氣體獲得。
4、按照權利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟是在700-900℃的溫度下，利用SiH4和N2O氣體實現的。
5、按照權利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟是在600-800℃的溫度下，利用TEOS和N2O氣體實現的。
6、一種形成半導體器件接觸孔的方法，其包括下列步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上形成第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；
通過腐蝕所述第一和第二絕緣層的一部分，形成接觸孔的開孔，以便露出所述襯底的一部分；
在所獲得的結構上形成具有均勻厚度的第三絕緣層；
對第三絕緣層進行各向異性的腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結果，在所述開孔的側壁上形成絕緣隔離層。
7、按照權利要求6所述的方法，其中，所述的第三絕緣層，在0.1-4.0乇的壓強下形成。
8、按照權利要求6所述的方法，其中，形成所述第二絕緣層的步驟在800-950℃的溫度下，利用SiH2Cl2和N2O氣體實現。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
