[發(fā)明專利]制造具有精細(xì)接觸孔的半導(dǎo)體器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 96110443.0
• 申請日: 1996-06-30
• 公開（公告）號: CN1146070A
• 公開（公告）日: 1997-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金鎮(zhèn)國;樸星昱
• 申請（專利權(quán)）人: 現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 柳沈知識產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 楊梧

1、一種制造半導(dǎo)體器件接觸孔的方法，包括下列步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上形成一第一絕緣層；

通過腐蝕所述第一絕緣層的一部分，形成接觸孔的開孔，暴露出所述襯底的一部分；

在所獲得的結(jié)構(gòu)上，形成一具有非均勻厚度的第二絕緣層，其中淀積在所述接觸孔側(cè)壁和底部上的所述第二絕緣層的厚度薄于在所述第一絕緣層上面的第二絕緣層的厚度；

對所述的第二絕緣層進行各向異性的腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結(jié)果，在所述開孔的側(cè)壁上形成絕緣隔離層。

2、按照權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的第二絕緣層是在0.1-4.0乇的壓強下形成的。

3、按照權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟在300-500℃溫度下，利用SiH₄和O₂氣體獲得。

4、按照權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟是在700-900℃的溫度下，利用SiH₄和N₂O氣體實現(xiàn)的。

5、按照權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成所述的第二絕緣層的步驟是在600-800℃的溫度下，利用TEOS和N₂O氣體實現(xiàn)的。

6、一種形成半導(dǎo)體器件接觸孔的方法，其包括下列步驟：

提供一襯底；

在所述襯底上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；

通過腐蝕所述第一和第二絕緣層的一部分，形成接觸孔的開孔，以便露出所述襯底的一部分；

在所獲得的結(jié)構(gòu)上形成具有均勻厚度的第三絕緣層；

對第三絕緣層進行各向異性的腐蝕，直到露出所述襯底的一部分，結(jié)果，在所述開孔的側(cè)壁上形成絕緣隔離層。

7、按照權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述的第三絕緣層，在0.1-4.0乇的壓強下形成。

8、按照權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述第二絕緣層的步驟在800-950℃的溫度下，利用SiH₂Cl₂和N₂O氣體實現(xiàn)。