[發(fā)明專利]互補型金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 96102424.0
• 申請日: 1996-02-15
• 公開（公告）號: CN1056471C
• 公開（公告）日: 2000-09-13
• 發(fā)明（設計）人: 王志賢;陳民良
• 申請（專利權）人: 臺灣茂矽電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 徐嫻

1、一種互補型金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法，其在-P型襯底上，形成N溝道場效應晶體管和P溝道場效應晶體管，其步驟如下：

(a)提供一硅襯底，其上至少已形成P型勢阱、N型勢阱、數(shù)個柵極和柵極氧化層；

(b)以數(shù)個柵極為光掩模，對于硅襯底全面性進行N^-離子注入，以形成第一N^-型離子輕摻雜漏極注入?yún)^(qū)，第一N^-型離子的注入方向與垂直所述硅襯底方向間的角度為20度至70度；

(c)形成側(cè)壁隔離層；

(d)應用第一光掩模，遮住欲形成所述P溝道場效應晶體管的區(qū)域，進行第一N⁺型離子注入，以形成第一N⁺型離子注入?yún)^(qū)，第一N⁺型離子的注入方向與垂直所述硅襯底方向間的角度為20度至70度，不去除光掩模，然后再進行第二N⁺型離子注入，以形成第二N⁺型離子注入?yún)^(qū)，離子注入方向與垂直所述硅襯底方向間的角度為0度至7度；

(e)應用第二光掩模，遮住欲形成N溝道場效應晶體管區(qū)域，進行P^-型離子注入，以形成P^-型離子注入?yún)^(qū)，離子注入方向與垂直所述硅襯底方向間的角度為20度至70度之間，不去除光掩模，然后再進行第一P⁺型離子注入，以形成第一P⁺型離子注入?yún)^(qū)，第一P⁺型離子的注入方向與垂直所述硅襯底方向間的角度為0度至7度；

(f)在場氧化層和晶體管元件上，淀積絕緣層；

(g)應用第三光掩模，以傳統(tǒng)光掩模蝕刻方法蝕刻掉場氧化層與柵極中間的絕緣層，露出部分第二N⁺型離子注入?yún)^(qū)及部分第一P⁺型離子注入?yún)^(qū)，形成接觸窗。

2、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N^-型離子的注入物種為磷，注入濃度為5E12-5E13cm^-2間，注入能量為30KeV和80KeV間。

3、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一N⁺型離子注入的物種為砷，其濃度為1E15-5E15cm^-2，其注入能量為60KeV和90KeV間。

4、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述側(cè)壁隔離層寬度在0.2微米至0.4微米間。

5、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二N⁺型離子的注入物種為磷，其濃度為3E15-6E15cm^-2，其注入能量為30KeV和80KeV間。

6、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P-型離子注入的物種為BF₂，其注入濃度為1E13-3E13cm^-2，其注入能量為30KeV和120KeV間。

7、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一P⁺型離子注入物種為BF₂，注入濃度為2E15-6E15cm^-2，注入能量為30KeV和60KeV間。

8、根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述場氧化層和晶體元件上，淀積的絕緣層為一雙層結構，其中上層為硼磷硅酸鹽玻璃層材料，下層為未摻雜離子的二氧化硅絕緣層。