[發(fā)明專利]一種制備金屬及合金薄膜的金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 96102145.4 | 申請(qǐng)日: | 1996-02-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1069932C | 公開(公告)日: | 2001-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孟廣耀;黃磊;陳初升;楊萍華;彭定坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C16/18 | 分類號(hào): | C23C16/18 |
| 代理公司: | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 汪祥虬 |
| 地址: | 230026*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 金屬 合金 薄膜 有機(jī)化學(xué) 氣相淀積法 | ||
1.一種制備金屬及合金薄膜的方法,以低壓熱化學(xué)氣相淀積法為基礎(chǔ),其特征在于采用鹵素?zé)艋蚪?jīng)過聚焦的普通紅外光源,使揮發(fā)性的金屬的β-二酮類螯合物源受光照揮發(fā)后,與還原性氣氛混合,在熱的襯底表面上反應(yīng),從而在襯底上獲得金屬或合金薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述制備金屬及合金薄膜的方法,特征在于在制備合金薄膜時(shí),采用單一混合源技術(shù),即將各源物質(zhì)按照合金薄膜的組分配比要求進(jìn)行混合,形成單一混合源;并選用同一配體的金屬的β-二酮類螯合物源,或選用升華溫度相近的不同配體的金屬的β-二酮類螯合物源。
3.如權(quán)利要求1所述制備金屬及合金薄膜的方法,特征在于采用密封方法使多孔襯底的孔隙成為β-二酮類源物質(zhì)和還原性氣氛相互連通的唯一通道,以制備介孔復(fù)合膜。
4.一種制備金屬及合金薄膜的金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積反應(yīng)裝置,特征在于該裝置包括由源輸運(yùn)室(7)、冷卻區(qū)(10)、光照區(qū)(11)和設(shè)置有襯底支架(14)的反應(yīng)室(12)依次串聯(lián)而成的真空系統(tǒng);以一端封有軟鐵的細(xì)長開槽玻璃管為源舟,置于源輸運(yùn)室內(nèi);在輸運(yùn)室外用磁鐵牽引置于輸運(yùn)室內(nèi)的軟鐵帶動(dòng)源舟進(jìn)入光照區(qū);采用鹵素?zé)艋蚪?jīng)過聚焦的普通紅外光源作為光照光源。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





