[發明專利]具有過量的A－位及B－位調節劑的ABO3薄膜及其制造方法

無效

• 申請號: 95194766.4
• 申請日: 1995-06-30
• 公開（公告）號: CN1083161C
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發明（設計）人: 吾妻正道;C·帕斯迪阿勞霍;M·C·斯各特
• 申請（專利權）人: 西梅特里克司有限公司;松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/316
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鐘守期,羅才希

1.一種制造用于集成電路(10，20，30)的鈦酸鋇鍶層的方法，其中所述鈦酸鋇鍶層(15，26，37)包含超過形成由式ABO₃定義的鈦酸鋇鍶層所必需的B-位材料的化學計算量的B-位材料，所述方法包括提供(P42)一種含鋇、鍶和鈦的初始液態前體的步驟；其中鋇和鍶是A-位材料和鈦是B-位材料，鋇、鍶和鈦以形成所述化學計量的鈦酸鋇鍶的量存在，所述方法的特征在于下列步驟：

摻入(P42)過量的B-位材料到所述初始液態前體中以制成一種溶液，所述的過量的B-位材料選自Cr、Zr、Ta、Mo、W和Nb，其量為所述化學計算量的B-位材料的量的0.01％-100％；

將該溶液涂布(P45)在基底上；

使該溶液干燥；和

將該溶液在氧中加熱(P46，P47)以形成含過量的B-位材料的鈦酸鋇鍶層。

2.權利要求1的方法，包括在所說的涂布步驟之前將添加的A-位材料摻入該初始液態前體的步驟(P42)，所說的添加的A-位材料選自Bi、Dy、Pb、Ca和La。

3.權利要求1或權利要求2的方法，其中所述制備初始液態前體的步驟包括制備所述的作為一種有機配合物的取代基的過量的B-位材料或所述的添加的A-位材料。

4.權利要求3的方法，其中所述的有機配合物選自羧酸、醇及其混合物。

5.權利要求2的方法，其中所述的將所述添加的A-位材料摻混的步驟包括將所述添加的A-位材料以滿足所述式ABO₃的A-位材料量的0.01％-100％的量摻混。

6.權利要求3的方法，其中所述的過量的B-位材料包括鉻和所述的添加的A-位材料包括鏑。

7.權利要求1的方法，其中所述的初始液態前體溶液具有少于百萬分之10的任何單一雜質元素。

8.??一種用于集成電路(10，20，30)的鈦酸鋇鍶薄膜(15，26，37)，所述薄膜的特征在于：

所述薄膜包含超過形成由式ABO₃定義的鈦酸鋇鍶所必需的化學計算量的B-位材料，所述過量的B-位材料選自Cr、Zr、Ta、Mo、W和Nb。

9.權利要求8的鈦酸鋇鍶薄膜，其中所述的薄膜包含超過形成所述鈦酸鋇鍶所必需的化學計算量的A-位材料，所述過量的A-位材料選自Bi、Dy、Pb、Ca和La。

10.權利要求9的鈦酸鋇鍶薄膜，其中所述過量的A-位材料和所述過量的B-位材料的存在量分別為所述化學計算量的0.1％-100％。