[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 94113869.0
• 申請日: 1994-09-30
• 公開（公告）號: CN1052575C
• 公開（公告）日: 2000-05-17
• 發明（設計）人: 竹村保彥;寺本聰
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;G02F1/133;H01L27/01
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 蕭掬昌,王岳

1.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

形成一個至少包括在一個絕緣表面上的源區、漏區和溝道區的有源半導體層；

在所述有源半導體層上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成柵極；

使所述柵極在電解液中經受陽極化處理，以在所述柵極的至少一個側面上形成所述柵極的氧化物；

用所述氧化物作為掩模腐蝕所述絕緣膜的至少一部分，從而形成柵極絕緣膜；

去除在所述柵極的所述側面上所形成的所述氧化物，使所述柵極絕緣膜的一部分裸露出來；然后

在所述柵極和所述柵極膜的所述裸露部分上形成能俘獲正離子的膜。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于還包括以下步驟：在所述經受陽極化處理的步驟之后而在所述腐蝕步驟之前在所述柵極上形成阻擋型陽極氧化膜。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于還包括以下步驟：在所述腐蝕步驟之后用所述柵極作為掩模，將雜質離子引入所述有源層的一部分。

4.根據權利要求3的方法，其特征在于還包括以下步驟：激活被引入所述有源層的所述雜質離子。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于還包括以下步驟：用離子摻雜法將氫引入所述所述溝道與所述源區之間以及所述溝道與所述漏區之間的部位，濃度為0.01-10at/cm³。

6.根據權利要求5的方法，其特征在于還包括以下步驟：在引入所述氫之后，對所述有源層在200-400℃溫度下進行退火。

7.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

在一個絕緣表面上形成結晶半導體層；

在所述結晶半導體層上形成包括氧化硅的絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成柵極；

使所述柵極在電解液中經受陽極化處理，以在所述柵極的至少一個側面上形成所述柵極的氧化物；

用所述氧化物作為掩模腐蝕所述絕緣膜的至少一部分，從而形成柵極絕緣膜；

在所述腐蝕步驟之后，去除在所述柵極的所述側面上所形成的所述氧化物，使所述柵極絕緣膜的一部分裸露出來；

在去除在所述柵極的所述側面上所形成的所述氧化物的步驟之后，用所述柵極和所述柵極絕緣膜作為掩模，選擇性地將雜質離子引入所述半導體層，使之具有一種導電性類型，其中所述半導體層延伸超出所述氧化物的部分以第一濃度摻有所述雜質離子，而所述半導體層位于所述柵極絕緣膜的裸露部分的下面的部分則以小于所述第一濃度的第二濃度摻有所述雜質離子；以及

至少在所述柵極和所述柵極絕緣膜的所述裸露部分上形成一個包括氮化硅的膜。

8.根據權利要求7的方法，其特征在于還包括以下步驟：在所述經受陽極化處理的步驟之后而在所述腐蝕步驟之前在所述柵極上形成阻擋型陽極氧化膜。

9.根據權利要求7的方法，其特征在于，所述第一濃度為1×10²⁰至2×10²¹at/cm³，所述第二濃度則為1×10¹⁷至2×10¹⁸at/cm³。