[發明專利]半導體存儲器件

無效

• 申請號: 94113497.0
• 申請日: 1994-12-28
• 公開（公告）號: CN1041580C
• 公開（公告）日: 1999-01-06
• 發明（設計）人: 金子哲也;大澤隆
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

本發明涉及半導體存儲器件，特別是關于具備把從外部供給的電源電壓進行升壓并提供給字線驅動系統電路的升壓電位產生電路的半導體存儲器件。

在動態隨機存取存儲器(以下記為DRAM)中，需要按規定的時間間隔刷新存儲單元中的數據，該刷新周期取決于外部的規格。1M位和4M位的DRAM中，是1種刷新周期，而16M以上的DRAM中設有多種刷新周期。例如，64M位的DRAM中，設有2048刷新周期、4096刷新周期及8192刷新周期等3種方法。當改變刷新周期數時，與此相對應就要改變在一種刷新周期中被同時選擇的字線數。例如，在2048刷新周期類產品中就要同時選擇4倍于8192刷新周期類產品的字線。

為此，在具有把從外部供給的電源電壓進行升壓并提供給字線驅動系統電路的升壓電位產生電路并用該電路的輸出驅動字線的結構中，同時被選擇的字線數和驅動字線的升壓電位產生電路的電流供給能力之間的比率隨刷新周期的規格而變化。換言之，在字線的電位變為隨刷新周期的規格而改變，同時被選擇的字線條數多的刷新周期(刷新周期低)的產品中，就存在對存儲單元的寫入及讀出不完全的危險。

為使上述刷新周期和字線驅動升壓電位產生電路的電流供給能力相對應，有人設想形成按每種刷新周期而改變升壓電位產生電路的電流供給能力的多種芯片。然而，這樣形成多種芯片要大幅度地降低開發效率和生產效率。

而作為與多品種化的對應方法，現在不斷實行著用絲焊和保險絲等開關裝置改變刷新周期，應用這種開關裝置改變刷新周期數和字線升壓容量的技術記載于本申請人的特愿平4-221694號。作為驅動DRAM字線的升壓電位產生電路，現在一般運用稱為自舉電路的方法，在上述專利所記載的技術中，是把驅動信號加到已充了電的電容器上進行升壓動作。這時，通過根據刷新周期改變自舉電路的電容容量(這是字線升壓容量)，從一種芯片制造刷新周期不同的多種芯片。

然而，近年來正在進行外加電源電壓的低電壓化，具體地說，正在從以往的5V系列向3．3V或3V變化。在電源電壓這樣低的場合，以往的自舉方式中就要產生不能夠充分地提升字線升壓電位的危險。

作為處理這一問題的方法之一，有人建議用芯片內部的升壓電位產生電路恒定地生成升壓電位，把該升壓電位作為字線驅動電路的電源使用。作為恒定地生成升壓電位的方法；主要應用利用了充電泵的方法，但是這種情況下，要產生作為升壓電位發生電路的輸出的內部電位變動的問題。如果加大充電泵電路的電流供給能力，雖然能夠防止內部電路動作時內部電位的降低，但伴隨充電泵動作的升壓電位的變動(脈動)增大。如果減小充電泵電路的電流供給能力，能夠減小脈動，但構成充電泵電路負載的內部電路動作時的電位下降就增大。從而，在這樣的情況，就要求內部升壓電路的電流供給能力既要大于構成負載的內部電路動作時必要的電流，而且又不能過大。

在上述現有的半導體存儲器件中，在升壓電位產生電路中變化必要的電流供給能力時，通常采取按刷新周期低電流供給能力最大的情況設定升壓電位發生電路的電流供給能力的方法。然而，若這樣設定電流供給能力，則在刷新周期高時，引起升壓電位發生電路的電流供給能力過剩，內部電位脈動加大的問題。作為脈動的對策，有為了電位穩定而把大負載電容接在升壓電位輸出端的方法，然而若加大負載電容就要產生芯片尺寸增大以及可靠性降低的問題。

本發明是鑒于上述情況而產生的，其目的在于提供具備了升壓電位發生電路的半導體存儲器件，即使改變產品規格該升壓電位產生電路也能夠用最佳的電流驅動能力驅動負載電路。

另外，本發明的另一個目的在于提供具備了升壓電位產生電路的半導體存儲器件，該升壓電位產生電路能夠以相應于刷新周期的電流驅動能力驅動字線驅動系統電路。

本發明的再一個目的在于提供具備了升壓電位產生電路的半導體存儲器件，該升壓電位產生電路能夠既不招致芯片尺寸增大及可靠性下降又抑制脈動。

本發明的一個方面的半導體存儲器件，其特征在于具有：恒定地產生高于外加電壓的升壓電位的升壓電位產生部件、把該升壓電位產生部件的輸出電位作為電源供給并驅動字線的字線驅動部件以及控制部件，該控制部件接收決定產品規格的信號，把根據該決定信號生成的控制信號供給上述升壓電位產生部件，當上述字線驅動部件中同時驅動的字線較多時，加大上述升壓電位產生部件的電流供給能力，在同時驅動的字線較少時，減小上述升壓電位產生部件的電流供給能力。