[發明專利]半導體存儲器件

無效

• 申請號: 94113497.0
• 申請日: 1994-12-28
• 公開（公告）號: CN1041580C
• 公開（公告）日: 1999-01-06
• 發明（設計）人: 金子哲也;大澤隆
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1．半導體存儲器件，其特征在于包括：

升壓電位產生部件，用于恒定地產生高于外加電壓的升壓電位；

字線驅動部件；用于將上述升壓電位產生部件的輸出電位作為電源提供給并驅動字線；以及

控制部件，用于接受決定產品規格的信號，并把根據該決定信號而生成的控制信號供給上述升壓電位產生部件，在被上述字線驅動部件同時驅動的字線多時加大上述升壓電位產生部件的電流供給能力，在被同時驅動的字線少時減少上述升壓電位產生部件的電流供給能力。

2．權利要求1中記載的半導體存儲器件，其特征在于：上述決定產品規格的信號是決定刷新周期的信號。

3．權利要求1或權利要求2所記載的半導體存儲器件，其特征在于：上述升壓電位產生部件中擁有其輸出端被共同連接在一起的多個升壓電位產生電路，通過用上述控制部件選擇這些升壓電位產生電路、按照同時被驅動的字線數量改變電流供給能力。

4．權利要求1或權利要求2所記載的半導體存儲器件，其特征在于：上述字線驅動部件具有用于把字線設定為高電平的P溝道MOS晶體管，把上述升壓電位送給該P溝道MOS晶體管上。

5．權利要求1或權利要求2所記載的半導體存儲器件，其特征在于：上述控制部件具備把基準電位和上述升壓電位產生部件輸出的升壓電位進行比較并根據此比較結果控制上述升壓電位為恒定。

6．半導體存儲器件，其特征在于包括：升壓電位產生電路，用于恒定地產生高于外加電壓的升壓電位；

輸出與產品規格相應的切換信號的第1電路；

上述升壓電位被供產生電路的輸出電位作為電源提供的第2電路；

根據上述第1電路輸出的切換信號改變從上述升壓電位產生電路供給上述第2電路的最大電流的第3電路；

接受上述升壓電位產生電路的輸出并控制上述升壓電位為恒定的第4電路。

7．權利要求6中記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述升壓電位產生電路具備多個產生升壓電位的電位產生部件，通過把上述第4電路的輸出供給上述第3電路、把上述第1電路的輸出供給上述第2電路及第3電路、把上述第3電路的輸出供給上述升壓電位產生電路，由此選擇上述電位產生部件，而改變從上述升壓電位產生電路供給上述第2電路的最大電流。

8．權利要求6中記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述升壓電位產生電路具備多個產生升壓電位的電位產生部件，通過把上述第1電路的輸出供給上述第2電路及上述第3電路、把上述第3電路的輸出供給上述第4電路、把上述第4電路的輸出供給上述升壓電位產生電路，由此選擇上述電位產生部件而改變從上述升壓電位產生電路供給上述第2電路的最大電流。

9．權利要求6中記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述升壓電位產生電路具有振蕩器，通過把上述第1電路的輸出供給上述第2電路和上述第3電路、把上述第3電路的輸出及上述第4電路的輸出供給上述升壓電位產生電路，由此改變上述振蕩器的振蕩頻率，從而改變從上述升壓電位產生電路供給上述第2電路的最大電流。

10．權利要求6中記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述升壓電位產生電路具有設在輸出端的晶體管，通過把上述第1電路的輸出供給上述第2電路和上述第3電路、把上述第3電路的輸出和上述第4電路的輸出供給上述升壓電位產生電路來改變上述晶體管的導通電阻，從而改變從上述升壓電位產生電路供給上述第2電路的最大電流。

11．權利要求6到權利要求10中任一項所記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述第2電路是字線驅動系統電路，從上述第1電路輸出的與產品規格相應的切換信號是與刷新周期相應的信號。

12．權利要求6到權利要求10中任一項所記載的半導體存儲器件，其特征在于：

把上述升壓電位給設在上述字線驅動系統電路內并把字線設定為高電平的P溝道型MOS晶體管。

13．權利要求6到權利要求10中任一項所記載的半導體存儲器件，其特征在于：

上述升壓電位產生電路是充電泵激式升壓電路。