[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 94113397.4 | 申請(qǐng)日: | 1994-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1099135C | 公開(公告)日: | 2003-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 池部公弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L23/48 | 分類號(hào): | H01L23/48 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1、一種半導(dǎo)體裝置,其特征是:
具有四角形的半導(dǎo)體芯片和配置在上述半導(dǎo)體芯片的至少一邊附近的多個(gè)凸起,這些凸起沿上述的至少一邊以鋸齒狀配置;
在把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片外側(cè)的凸起在與上述半導(dǎo)體芯片的至少一邊平行的方向上的最大寬度設(shè)為Bw1,并把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片內(nèi)側(cè)的凸起在與上述半導(dǎo)體芯片的上述至少一邊平行的方向上的最大寬度設(shè)為Bw2時(shí),滿足Bw2>Bw1。
2、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述半導(dǎo)體芯片具有從正方形和長方形中選出的一種形狀。
3、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
把上述多個(gè)凸起以鋸齒狀配置在上述半導(dǎo)體芯片所有邊的附近。
4、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述多個(gè)凸起的每一個(gè)具有從正方形和長方形中選出的一種形狀,上述多個(gè)凸起的至少一邊與上述半導(dǎo)體芯片的上述至少一邊平行。
5、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述多個(gè)凸起的形狀具有棒球本壘那樣的形狀。
6、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
在把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片外側(cè)的凸起在垂直于上述半導(dǎo)體芯片的至少一邊的方向上的最大長度設(shè)為Bd1,把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片內(nèi)側(cè)的凸起在垂直于上述半導(dǎo)體芯片的上述至少一邊的方向上的最大長度設(shè)為Bd2時(shí),滿足Bd1>Bd2。
7、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述多個(gè)凸起由金構(gòu)成。
8、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
具有四角形器件孔的絕緣帶和形成在上述絕緣帶上、一端位于器件孔內(nèi)的許多條引線;
從上述器件孔確定的一邊開始到上述許多條引線的一端為止的距離有短距離和長距離,上述許多條引線中的短引線以每隔一條的方式存在于長引線中;
把上述半導(dǎo)體芯片配置在上述器件孔內(nèi),把上述短引線連接到配置在上述半導(dǎo)體芯片外側(cè)的凸起處,把上述長引線連接到配置在上述半導(dǎo)體芯片內(nèi)側(cè)的凸起處。
9、權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述器件孔的形狀與上述半導(dǎo)體芯片的形狀相同。
10、權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述許多條引線以一定的間隔配置在上述絕緣帶上。
11、權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
如設(shè)上述引線的寬度為Lw,則滿足
Lw<Bw1,Lw<Bw2。
12、權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
如設(shè)從一條引線的中心到與該引線相鄰的引線的中心的距離為Lp,則滿足
2×Lp≤(Bw1+Bw2)。
13、權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
在把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片外側(cè)的凸起垂直于上述半導(dǎo)體芯片的至少一邊的方向上的最大長度設(shè)為Bd1,把上述多個(gè)凸起中配置在上述半導(dǎo)體芯片內(nèi)側(cè)的凸起在垂直于上述半導(dǎo)體芯片的上述至少一邊的方向上的最大長度設(shè)為Bd2時(shí),滿足
Bd1>Bd2。
14、權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是:
上述絕緣帶由聚酰亞胺構(gòu)成,上述許多條引線由銅構(gòu)成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝,未經(jīng)株式會(huì)社東芝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/94113397.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





