[發明專利]薄膜形成裝置無效
| 申請號: | 91104119.2 | 申請日: | 1991-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN1057492A | 公開(公告)日: | 1992-01-01 |
| 發明(設計)人: | 伊藤弘基 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 顏承根 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 形成 裝置 | ||
本發明涉及薄膜形成裝置,特別涉及通過結團離子束(クラスタ-ィオンビ-ム)蒸鍍法(ICB法)蒸鍍形成高質量薄膜的薄膜形成裝置。
圖3,為特公昭54-9592公報中揭示的已有薄膜形成裝置的結構示意圖。薄膜形成裝置,具有保持一定真空度的真空室1,用來排氣至真空狀態的真空排氣系統2與真空室1相連接。
而在真空室1內,設置著噴出蒸鍍物質的蒸氣而使之產生蒸鍍物質結團粒子(クラスタ-)的坩堝3,在坩堝3的上部設有噴口4。
進一步,坩堝3內充填著蒸鍍物質5,并在坩堝3上敷設有用于加熱的線圈6。
而且,在線圈6的外側,配置著隔絕加熱用線圈6發出的熱量的絕熱板7,由坩堝3、加熱用線圈6以及絕熱板7構成蒸氣發生源9。
另外,8所表示的,為蒸鍍物質從設在坩堝3的上方的噴口4噴出后形成的結團粒子(團狀原子團)。
此外,在坩堝3的上方設置著放出電子束的電離線圈10,并在電離線圈10內側配置著從電離線圈10引出并加速電子用的電子束引出電極11。
進一步,在電離線圈10外側,配置著隔絕電離線圈10發出的熱量的絕熱板12,由電離線圈10、電子束引出電極11以及絕熱板12構成電離裝置13。
又,在電離裝置13的上方,設置著加速電極15a與接地電極15b,構成通過電場來加速由電離裝置13電離了的電離的結團粒子14、提供其動能的加速裝置,在加速電極15a與接地電極15b的上方,設置著其表面將形成薄膜的基板16。
然后,所述加熱用線圈6上連接著第一交流電源17,并且還連接著使坩堝3的電位相對于加熱用線圈6成正偏置的第一直流電源18。
進一步,所述電離線圈10上連接著第二交流電源19,并且還連接著相對于電子束引出電極11成負偏置的第二直流電源20。
又,坩堝3、電子束引出電極11以及加速電極15a上連接著相對于接地電極15b成正偏置的第三直流電源21,第一交流電源17、第一直流電源18、第二交流電源19以及第二直流電源20收容于電源裝置22中。
下面就其運行進行說明。
真空室1由真空排氣系統2排氣至10-6Torr量級的真空度。
接著,通過第一直流電源18所加的電場將從加熱用線圈6放出的電子引出,并使所引出的電子在坩堝3處相互碰撞,將坩堝3內的蒸氣壓加熱至數Torr。
通過該加熱,坩堝3內的蒸鍍物質5蒸發,從噴口4向真空室1中噴射。
該蒸鍍物質5的蒸氣,經過噴口4時,經絕熱膨脹驟然冷卻而凝聚,形成被稱作結團粒子8的團狀原子團。
接著,第二直流電源20,使由第二交流電源19加熱的電離線圈10相對于電子束引出電極11成負的偏置,由電離線圈10放出的熱電子被引至電子束引出電極11內。
于是,由于電離線圈10所放出的電子束,結團粒子8的一部分被電離,從而形成電離的結團粒子14。
進一步,第三直流電源21,使坩堝3、電子束引出電極11以及加速電極15a以相對于處在接地電位的接地電極15b成正的偏置,通過加速電極15a與接地電極15b之間所形成的電場透鏡,電離的結團粒子14和未電離的中性結團粒子8一起受到加速控制,在基板16表面上碰撞而形成薄膜。
對于如上述構成的已有薄膜形成裝置,為了通過控制包括電離的結團粒子14在內的結團粒子動能而對所形成的薄膜性質進行控制,形成均勻的薄膜,有必要減小構成與基板16表面碰撞的電離的結團粒子14的那些原子的動能的離散性,同時還有必要通過調節由第三直流電源21所加的加速電壓,而使與基板16碰撞的電離的結團粒子14的數定恒定。
然而,如果結團粒子的大小存在離散性,則基板16表面碰撞的原子的動能也離散。
例如,如果第三直流電源21上加600V的電壓來加速電離的結團粒子14,則由2個原子組成的電離的結團粒子14的(每個)原子以300V的能量與基板16碰撞,由3個,4個以及5個原子組成的電離的結團粒子14的(每個)原子分別以200V,150V以及120V的能量與基板16碰撞。
另外,原子被電離后是以600V的動能進行加速。
這樣,就存在構成入射到基板16的結團粒子的原子的動能不同,就不能形成均勻的薄膜這樣的問題。
而且,還存在,當小的電離的結團粒子以及原子被電離而與基板16碰撞時,因碰撞時的動能大而使基板受到損傷這樣的問題。
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