[發明專利]膜形成方法

無效

• 申請號: 90106054.2
• 申請日: 1990-12-14
• 公開（公告）號: CN1027087C
• 公開（公告）日: 1994-12-21
• 發明（設計）人: 仲間宏
• 申請（專利權）人: 大和化工株式會社
• 主分類號: C23C26/00
• 分類號: C23C26/00;C23C28/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊麗琴

1、膜形成方法，其特征在于，該方法包括以下的步驟：

將對基板附著性差的第1膜沉積在該基板上的工藝步驟，

在上述第1膜上設置到達上述基板表面的微細且高密度孔的工藝步驟，

在上述多孔性第1膜上形成對上述基板附著性高的第2膜從而將該多孔性第1膜緊緊保持在基板上的工藝步驟。

2、根據權利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，在第1膜上設置微細孔的工藝，是通過在該第1膜上散布耐蝕性微粒子后，以該粒子作為掩膜對第一膜刻蝕而進行的。

3、根據權利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，在第1膜上設置微細孔的工藝，是使已形成微細孔的掩膜介于中間，對保護膜進行曝光、顯影，并以該保護膜作為掩膜對第1膜刻蝕而進行的。

4、根據權利要求1-3中任何一項所述之膜成形方法，其特征在于，上述基板由陶瓷、玻璃、塑料、金屬、合金或寶石構成，上述第1膜由金膜、白金膜、銀膜、銦膜、銅膜、鎳膜、鉻膜等金屬膜，或這些金屬的合金膜，或TiN膜等金屬化合物膜構成，上述第2膜由釉膜、SiO膜、SiO₂膜、鈹膜、A1膜、鉬模、鉛膜、鎢膜，或金屬的合金膜，或有機金屬化合物膜構成。