[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器輸出緩沖器預(yù)充電控制電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 90103969.1
• 申請(qǐng)日: 1990-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1019706B
• 公開(kāi)（公告）日: 1992-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雅皖·尤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電器公司
• 主分類號(hào): G11C11/413
• 分類號(hào): G11C11/413
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 鄒光新

本發(fā)明敘述的是一種緩沖器控制電路用以存貯裝置輸出數(shù)據(jù)，特別提出了一種用以檢測(cè)地址轉(zhuǎn)換器的輸出緩沖器預(yù)充電控制電路，在該地址轉(zhuǎn)換器中按照無(wú)效數(shù)據(jù)是“1”或“0”區(qū)分預(yù)充電路徑而輸出有效數(shù)據(jù)之前輸出節(jié)點(diǎn)先改變到所需電平，如果該輸出數(shù)據(jù)為“1”則該輸出節(jié)點(diǎn)放電，如果輸出數(shù)據(jù)為“0”則輸出節(jié)點(diǎn)充電。

一半導(dǎo)體存貯裝置由輸入端將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)部存貯單元中，如有需要，由該內(nèi)部存貯單元讀出該貯存數(shù)據(jù)到輸出端，在進(jìn)行這種讀出及寫入時(shí)必須執(zhí)行許多內(nèi)部步驟。

數(shù)據(jù)的輸出過(guò)程包括以下多個(gè)步驟：

提供直到地址信號(hào)→輸入/輸出（I/O）選通→輸入/輸出→數(shù)據(jù)起動(dòng)信號(hào)供給線→數(shù)據(jù)總線→數(shù)據(jù)輸出。

亦即，如果提供一直到地址信號(hào)，然后發(fā)出一用以選定-I/O端的選通脈沖，并且選定-I/O線。然后在I/O線及數(shù)據(jù)起動(dòng)信號(hào)供給線這兩個(gè)步驟上，執(zhí)行第二數(shù)據(jù)讀出，將I/O線的低電壓升高到一較高電壓，以選定一數(shù)據(jù)總線并輸出數(shù)據(jù)信號(hào)。

為了使在數(shù)據(jù)總線之前已經(jīng)是CMOS電平的信號(hào)電平必須變成TTL電平，在數(shù)據(jù)總線與數(shù)據(jù)輸出端之間必需有一數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換，因而使用輸出緩沖器來(lái)轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)電平。

圖1及圖2所示電路是常規(guī)使用的輸出緩沖器電平轉(zhuǎn)換電路，但是由于控制預(yù)充電脈沖DCPP的作用，圖1的預(yù)充電部分9與MOS晶體管M1，M2一起保持在導(dǎo)通或者截止?fàn)顟B(tài)，其結(jié)果是產(chǎn)生了一條直流電流的通路。

其中，圖2電路中，該直流電流的損耗可用控制預(yù)充電脈沖DCPP經(jīng)選通加以避免，但是當(dāng)無(wú)效數(shù)據(jù)為“0”電平時(shí)，數(shù)據(jù)輸出端不能被預(yù)充電到高阻抗電平而且在預(yù)充電部分9要使用大尺寸的MOS晶體管。

本發(fā)明試圖克服以上常規(guī)技術(shù)的缺點(diǎn)。

因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種輸出緩沖器預(yù)充電控制電路，在此電路中可消除預(yù)充電部分輸出端產(chǎn)生的噪聲，并且在通過(guò)檢測(cè)地址轉(zhuǎn)換控制的電路中可提高數(shù)據(jù)處理的速度。

本發(fā)明的另一目的是提供一種預(yù)電控制電路，在此電路中預(yù)充電部分鑒于在輸出端的鎖存器及其類似器件的可靠性而選用NMOS晶體管組成。

在達(dá)到以上目的中，依據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的預(yù)充電部分的MOS晶體管按以下方式驅(qū)動(dòng)：依照無(wú)效數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)狀態(tài)（“1”或“0”）驅(qū)動(dòng)不同的MOS晶體管;一旦提供的是低電平（“0”）無(wú)效數(shù)據(jù)，該預(yù)充電部分則形成一充電路徑，于是所有電平部被提高，并且高速輸出TTL電平信號(hào);一旦提供的是高電平（“1”）無(wú)效數(shù)據(jù)，該預(yù)充電部分則形成一放電路徑，以降低所有電平，并且高速輸出TTL電平信號(hào)。

在達(dá)到以上目的中，依據(jù)在輸出端無(wú)效數(shù)據(jù)的狀態(tài)的預(yù)充電電路，其特征在于該輸出緩沖器的輸出端依照從數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生部分來(lái)的無(wú)效數(shù)據(jù)作充電或放電，以及輸出端電平在下次提供的有效數(shù)據(jù)經(jīng)由輸出緩沖器的輸出端輸出以前預(yù)先使它降低或升高。

本發(fā)明的上述目的及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)例及配合參照附圖將更明白。其中：

圖1揭示一種用于存貯裝置的常規(guī)的輸出緩沖器預(yù)充電控制電路;

圖2揭示另一種常規(guī)的輸出緩沖器預(yù)充電控制電路;

圖3揭示一種依據(jù)本發(fā)明的輸出緩沖器預(yù)充電控制電路;

圖4揭示一依據(jù)本發(fā)明的輸出緩沖器的預(yù)充電時(shí)序圖。

圖1揭示一種用于一般的存貯裝置的常規(guī)輸出緩沖器預(yù)充電控制電路。

在此圖中，輸出緩沖器5包括：一個(gè)用于接收數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)信號(hào)DB，DB的鎖存器1;用控制信號(hào)φTRST及鎖存器1的狀態(tài)信號(hào)處理數(shù)據(jù)的控制電路2，3;用來(lái)輸出控制電路2，3的信號(hào)的MOS晶體管M11，M12。

在輸出緩沖器5后方接一由MOS晶體管M1和M2組成的預(yù)充電部分9。控制預(yù)充電脈沖產(chǎn)生部分10由一接收地址轉(zhuǎn)換信號(hào)ATS后產(chǎn)生控制脈沖的控制脈沖產(chǎn)生部分6及接收控制脈沖產(chǎn)生部分6的信號(hào)后產(chǎn)生控制預(yù)充電脈沖DCPP的脈沖產(chǎn)生部分7組成。

本電路中，假如在地址轉(zhuǎn)換時(shí)控制脈沖產(chǎn)生部分6對(duì)應(yīng)于地址轉(zhuǎn)換信號(hào)ATS產(chǎn)生一個(gè)三態(tài)控制脈沖，脈沖產(chǎn)生部分7一旦接收到控制脈沖φTRST的下降邊則產(chǎn)生一個(gè)4～5ns的控制預(yù)充電脈沖DCPP。

該控制預(yù)充電脈沖DCPP產(chǎn)生后，將以下面要說(shuō)明的方式加到預(yù)充電部分9的MOS晶體管M1，M2的控制極。

如果加到MOS晶體管M1，M2的控制極的是控制預(yù)充電脈沖DCPP的高電平，MOS晶體管M1，M2導(dǎo)通，因此輸出端DOUT的無(wú)用數(shù)據(jù)電平應(yīng)改變到一個(gè)中間電平，由于在輸出有用數(shù)據(jù)期間電流ICC和ISS的峰值從而提高了速度并降低了噪聲。