[發明專利]電氣器件的制造方法

無效

• 申請號: 89103436.6
• 申請日: 1989-05-19
• 公開（公告）號: CN1020317C
• 公開（公告）日: 1993-04-14
• 發明（設計）人: 山崎舜平;石田典也;坂間光;佐佐木麻里
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/205
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 肖掬昌,程天正

本發明涉及一種電氣器件的制造方法。

半導體集成電路是曾經在各種各樣場合中廣泛使用過的最重要的電氣器件。從可靠性觀點來看，這些器件的問題之一就是水份或其它雜質侵入埋置在塑模中的IC（集成電路）芯片。這種侵入是通過出現在該塑模中的裂紋或裂縫發生的，使得從塑模的外側到IC芯片的表面形成通路。到達IC表面的水份使組成IC芯片的半導體產生不希望有的腐蝕現象，并導致芯片的失靈。

因此，本發明的一個目的是要提供一種可靠的電氣器件的制造方法，這種電氣器件不會受到通過密封器件的封裝的裂紋或其它路徑侵入的水份或其它雜質的影響。

通過下面連同參看附圖的詳細敘述就可從更好地理解本發明。在這些附圖中，

圖1是用來體現本發明的一種等離子體CVD設備的示意圖。

圖2（A）是一種IC芯片組件裝配平面示意圖。

圖2（B）是沿圖（2A）A-A線取得的部分橫截面視圖。

圖2（C）是圖2（A）經放大的部分視圖。

現在參看圖1和2（A）至2（C），圖中敘述了根據本發明實施例的一種等離子體處理方法。圖1展示一種等離子體CVD設備的橫截面示意圖。該設備包括一個沉積室1，一個通過一閥門9而連接到沉積室1的裝卸室7，一對裝在沉積室1中的網狀或柵狀電極11和11′，一個供氣系統5，一個通過一閥門21而連接到沉積室1的真空泵20，以及一個通過一變壓器26在電極11和11′間供電的高頻功率源10。變壓器26次級線圈的中點25′是接地（25）的。供氣系統包括三組流量計18和閥門19。輸入到電極11和11′的高頻能量引起電極間的陽極區輝光放電。輝光放電區（沉積區）限制在一個有四側邊的框架40的范圍內，以避免在該區的外側出現不希望有的沉積。框架40-它可以是一接地的金屬框架或者是一絕緣的框架-由一支柱40支撐。有若干個襯底2由框架40支撐著，并以3到13厘米，例如8厘米的間隔平行置放。一組IC芯片被安裝在各個組件2上。通過一偏置器件12將交流電能由一交流電源24加到組件（芯片）上。

如圖2（A）和圖2（B）所示，芯片組件是由固定夾具44和插放并支撐在相鄰夾具之間的引線框架29組成的。IC芯片安裝在引線框架29的適當位置（基板）并用Au絲39與安排在框周圍的引線相連接。圖2（C）展示的一種與一個芯片所需的引線相對應的框架單元結構，但芯片右側的引線的具體說明在圖中是不用贅述的。單元結構重復地沿著框架的上下導軌間的框架出現。每一框架含有5到25個單元，例如18個單元結構。一些夾具是整體組裝的，以便支撐10到50個，例如10個框架，如圖2（A）所示。

接著要解釋根據本發明的保護性涂層方法。在完成芯片和有關引線之間的電氣連接后，一些引線框架被安裝在組件2上。該組件通過裝卸室7以一恒定的間隔被置放在沉積室中。NH₃、Si₂H₆和N₂（攜帶氣體）分別由進氣口15、16和17以適當的壓力通過噴咀3漏入沉積室1。引進的NH₃/Si₂H₆/N₂的克分子比為1/3/5。當1千瓦和1到500兆赫，例如13.56兆赫的高頻能量進入一對電極11和11′時，就出現陽極區輝光放電。另一方面，100到500瓦和1-500千赫的交流偏置能量由交流電源通過偏置器件12輸入到安裝在組件上的芯片。結果，在芯片、引線及它們之間的連接線上就沉積了氮化硅涂層。涂層的厚度在經過10分鐘的沉積后達到1000±200埃。平均的沉積速率約3埃/秒。

完成沉積后，將組件由沉積室取出，并進行塑模工序。各組件按現狀被放在塑模設備上。一種環氧樹脂材料（410A）是從中心位置42（它在圖2（A）中作為解釋而繪出的）注入到各帶有適用模子的芯片周圍的適當部分，并形成芯片的外封裝。從塑模設備取出組件后，通過切斷引線的末端使IC脫離框架。然后，每條伸出塑模結構的引線都向下彎曲，以便形成“蝸形IC”的管腳。引線用酸清洗干凈后，再用焊料涂復。