[其他]一種離子轟擊減薄裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 88206944
• 申請日: 1988-06-17
• 公開（公告）號: CN88206944U
• 公開（公告）日: 1988-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王鳳蓮;褚一鳴;陸珉華
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28
• 代理公司: 中國科學(xué)院專利事務(wù)所
• 代理人: 盧紀

本實用新型涉及一種供制備透射電子顯微鏡觀測樣品用的離子轟擊減薄裝置。

現(xiàn)有供制備透射電子顯微鏡觀測樣品用的離子轟擊減薄裝置只能采用唯一的氬離子轟擊，如圖1所示，它在進行離子轟擊的樣品室（6）兩側(cè)分別引入氬氣，經(jīng)由高壓陽極（2）與電離室（3）離化加速成高能氬離子束流（5）通過高壓陰極孔（4）后轟擊樣品（7）兩側(cè)的表面。但是，由于有一部分材料，特別是化合物材料，如砷化鎵、磷化銦、銦鎵砷磷、銦鎵砷銻等等，它們很難通過氬離子轟擊的方法獲得平整清潔的優(yōu)質(zhì)薄膜表面。而要制備這些材料的樣品，則需要改用碘離子轟擊的方法。因而現(xiàn)有單一離子源轟擊減薄裝置的主要缺陷在于它的適應(yīng)范圍具有明顯的局限性。

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實用新型設(shè)計了一種可以產(chǎn)生碘氣體的發(fā)生器從而可以方便地選用氬離子轟擊或碘離子轟擊的離子轟擊減薄裝置，擴大了現(xiàn)有技術(shù)的適用范圍。

圖2是本實用新型離子轟擊減薄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。在該裝置樣品室（16）兩側(cè)各設(shè)一個氣體源選通閥（19）。當(dāng)選用氬離子轟擊時，調(diào)節(jié)選通閥使樣品室與氬氣入口（11）相通；選用碘離子轟擊時，先接通恒溫室（22）電源，使其達到予定溫度后，再調(diào)節(jié)選通閥使樣品室與恒溫室內(nèi)的碘蒸氣升華腔（20）相通。樣品室（16）兩側(cè)的碘蒸氣升華腔及其通向樣品室的碘蒸氣通道均設(shè)在恒溫室內(nèi)，并能得到均勻溫度控制。恒溫室的控制溫度可以在室溫～25℃至60℃的范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有單一氬離子源的離子轟擊減薄裝置結(jié)構(gòu)示意圖。其中1為氬氣入口，2為高壓陽極，3為電離室，4為高壓陰極，5為氬離子束，6為樣品室，7為樣品，8為真空泵接口。

圖2是本實用新型可選用氬離子或碘離子的離子轟擊減薄裝置結(jié)構(gòu)示意圖。其中11為氬氣入口，19為選通閥，12為高壓陽極，13為電離室，14為高壓陰極，15為離子束，16為樣品室，17為樣品，18為真空泵接口，20為碘蒸氣升華腔，21為碘蒸氣通道，22為恒溫室。