[其他]延時關斷電路中可控硅的過電流保護

無效

• 申請號: 88102200
• 申請日: 1988-04-13
• 公開（公告）號: CN88102200A
• 公開（公告）日: 1988-11-16
• 發明（設計）人: 高鴻飛
• 申請（專利權）人: 高鴻飛
• 主分類號: H03K17/08
• 分類號: H03K17/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種延時關斷電路，該電路以可控硅作開關，可控硅受控于一個阻容延時電路：延時開始時可控硅導通，延時結束時可控硅關斷。（見中國專利申請88201789.6時間開關）

當以快速熔絲對上述電路中的可控硅作過電流保護時，因熔絲特性的分散性和可控硅特性的分散性，不能保證熔絲在可控硅過電流的容許持續時間內熔斷。另外，更換熔絲的工作很麻煩，用價格昂貴的快速熔絲保護小容量可控硅不合算。因此需要一種更可靠、方便的保護方法。

本發明旨在對上述電路中的可控硅設置過電流自動保護，使在可控硅過電流的容許持續時間內自動斷流獲得保護，故障排除后，可控硅又能自動投入工作。

為實現上述發明目的，在可控硅支路中串入繼電器勵磁線圈，

繼電器在設定的電流值時吸合，其常開觸點接通，將延時電容短路放電，可控硅隨即關閉，從而獲得可靠保護。故障排除后，常開觸點開斷，延時電路恢復正常工作，可控硅自動恢復運行。

本發明中過電流保護動作的完成時間小于可控硅的過電流持續允許時間。使用干簧繼電器等快速動作元件，觸點吸合動作完成時間為0.0005秒至0.002秒，可以滿足保護要求。

附圖是本發明的電路圖。

圖中繼電器勵磁線圈（6）與可控硅（5）串聯。繼電器常開觸點（1）與電阻（2）串聯（可以是觸點的接觸電阻），構成短路放電支路（3）并聯于延時電容（4）的兩端。觸點（1）閉合時，電容（4）經支路（3）放電，延時提前快速結束，三極管（7）隨即飽和而強迫可控硅（5）關斷，達到保護的目的。