[其他]延時(shí)關(guān)斷電路中可控硅的過電流保護(hù)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 88102200 | 申請(qǐng)日： | 1988-04-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN88102200A | 公開（公告）日： | 1988-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高鴻飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高鴻飛 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/08 | 分類號(hào)： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 延時(shí) 斷電 可控硅 電流 保護(hù) | ||
【權(quán)利要求書】：
一種由可控硅和電阻電容構(gòu)成的延時(shí)關(guān)斷電路，該電路中有一個(gè)可控硅(5)開關(guān)支路和控制可控硅(5)的延時(shí)電路，延時(shí)電路中有延時(shí)電容(4)，其特征是：
1、所述可控硅(5)支路中串入繼電器勵(lì)磁線圈(6)。
2、該繼電器的常開觸點(diǎn)（1）與電阻（2）串聯(lián)成為支路（3）
3、該支路（3）并聯(lián)在延時(shí)電容（4）的兩端。
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