[其他]薄膜厚度測(cè)量裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87207427 | 申請(qǐng)日： | 1987-07-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN87207427U | 公開（公告）日： | 1988-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李焯;楊進(jìn)城;鐘茂聲;呂文選 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01B15/02 | 分類號(hào)： | G01B15/02 |
| 代理公司： | 廈門大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 福建省廈*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 厚度 測(cè)量 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、微波高Q腔體微擾法測(cè)量薄膜厚度的裝置，它包括傳感器、微波源、檢測(cè)電路、脈沖形成電路、顯示電路和電源，其特征在于傳感器采用雙腔單模高QTE011模園柱型腔體，雙腔為工作腔5和參考腔6，工作腔沿縱向中央開橫向隙縫，工作腔5分為兩個(gè)半腔5A、5B，其中5A與參考腔直接連結(jié)，5B通過良導(dǎo)熱體連接塊18與參考腔連接。
2、根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的裝置，其特征是高Q腔體的工作頻率為9300MHZ。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于微波源用場(chǎng)效應(yīng)壓控振蕩器。
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