[其他]半導體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87108326
• 申請日: 1987-12-31
• 公開（公告）號: CN87108326A
• 公開（公告）日: 1988-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 板鼻博;薄井義典;坪井孝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L23/34
• 分類號: H01L23/34
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 吳淑芳

1、一種半導體裝置，其特征在于，第一和第二半導體元件交替排列；

多個冷卻構(gòu)件布置在組成一對的相鄰的第一和第二半導體元件之間、用于冷卻所述半導體元件及將所述元件彼此電氣相連；以及

至少有一根連接導線至少連接反并聯(lián)連接件中所述第一半導體元件中的一個元件以及至少連接所述第二半導體元件中的一個元件并將多個所述反并聯(lián)連接件串聯(lián)連接起來。

2、如權(quán)利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述第一和第二半導體元件帶上最大負載的時間點不同。

3、如權(quán)利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述冷卻構(gòu)件在其內(nèi)部包含能被相鄰半導體元件產(chǎn)生的熱量蒸發(fā)而汽化從而冷卻所述相鄰半導體元件的冷卻媒劑。

4、如權(quán)利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述冷卻構(gòu)件具有短于所述第一和第二半導體元件帶有負載的時間的熱時間常數(shù)。

5、如權(quán)利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體器件是一種轉(zhuǎn)換器電路，其中，所述第一和第二半導體元件分別由控制極關(guān)斷的可控硅和二極管構(gòu)成。

6、如權(quán)利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，在位于所述第一和第二半導體元件的交替陣列兩端的半導體元件的外側(cè)，分別裝有附加的冷卻構(gòu)件。

7、一種半導體裝置，其特征在于，它包括多個半導體電路，其中由第一和第二半導體元件組成的多個反并聯(lián)連接件彼此相互串聯(lián)，

所述半導體電路每個包括：

交替排列的第一和第二半導體元件;

布置在相鄰且組成一對的第一和第二半導體元件之間、用于冷卻所述半導體元件以及將所述元件在電氣上連接起來的多個冷卻構(gòu)件;以及

用于在一個反并聯(lián)連接件中將至少一只所述第一半導體元件和至少只所述第二半導體元件連接起來和將多個所述反并聯(lián)連接件串接的至少一根連接導線;

在那里，所述半導體電路通過安插其間的附加冷卻構(gòu)件彼此鄰接，所述附加冷卻構(gòu)件一端設(shè)置所述第一半導體元件而另一端設(shè)置所述第二半導體元件。

8、如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一和第二半導體元件帶上最大負載的時間點不同。

9、如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述冷卻構(gòu)件在其內(nèi)部包含了能被相鄰半導體元件產(chǎn)生的熱量蒸發(fā)而汽化從而冷卻所述相鄰半導體元件的冷卻媒劑。

10、如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述冷卻構(gòu)件具有短于所述第一和第二半導體元件帶有負載的時間的熱時間常數(shù)。

11、如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置是一種轉(zhuǎn)換器電路，其中，所述第一和第二半導體元件分別由控制極關(guān)斷的可控硅和二極管構(gòu)成。

12、如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，在位于所述第一和第二半導體元件的交替陣列兩端的半導體元件的外側(cè)，分別裝有附加的冷卻構(gòu)件。