[其他]反向工作的晶體管偶合邏輯無效
| 申請號: | 87106288 | 申請日: | 1987-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN87106288A | 公開(公告)日: | 1988-03-16 |
| 發明(設計)人: | 張崇玖 | 申請(專利權)人: | 張崇玖 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/70;H03K19/08 |
| 代理公司: | 江蘇省南通市專利服務部 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 江蘇省南通市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反向 工作 晶體管 偶合 邏輯 | ||
1、反向工作的晶體管偶合邏輯,其特征在于:
(1)采用多晶硅肖特基二極管輸入;
(2)采用多晶硅二極管PSD輸入;
(3)采用多晶硅電阻作為負載;
(4)采用漏柵共接的多晶硅MOS或柵接地的多晶硅MOS作類似于CMOS的互補負載。
2、反向工作的晶體管偶合邏輯的制作工藝,其特征在于:
(1)采用分立等平面收集極自對準和基極洞自對準工藝;
(2)采用側壁難熔金屬或難熔硅化合物基極和發射極自對準工藝;
(3)采用等平面、V形槽、垂直槽(或電泳玻璃粉填槽)或空氣隔離工藝;
(4)采用反向共發射極背面接地結構;
(5)采用外延隱埋層上擴基區;
(6)采用NS或PS肖特基收集極;
(7)用多晶硅引線連接各分立晶體管;
(8)用鋁一次布線連接各分立晶體管;
(9)用難熔金屬或難熔金屬硅化物完成倒置一次布線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





