[其他]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 87104814
• 申請日: 1987-07-13
• 公開（公告）號: CN87104814A
• 公開（公告）日: 1988-03-30
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L31/00
• 分類號: H01L31/00;H01L27/14;H01L21/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 鄧明

1、一種半導體器件包括：

一個其中包括有一個非線性光敏結的三層非單晶半導體部件，非線性光敏結由NIN、PIP、NN^-N、NP^-N、PN^-P或PP^-P構成；

一個與所述部件一個表面歐姆接觸的透明的電極；

一個與所述部件另一個表面歐姆接觸的對向電極；

2、一種如權利要求1的器件，其中，所述電極與所述半導體部件的接觸為歐姆接觸。

3、一種如權利要求1的器件，其中，所述電極之一與和其歐姆接觸的所述半導體層疊合。

4、一種如權利要求1的器件，其中，所述三層式部件由加有氫原子或鹵素原子的非單晶硅半導體構成。

5、一種如權利要求1的器件，其中，所述三層式部件的光敏半導體層由加有氫原子或鹵素原子的Six（1-x（0＜X＜1）和/或SixN4-X（0＜X＜4）構成。

6、一種如權利要求5的器件，其中，所述部件的一層是摻有磷原子的N型層。

7、一種如權利要求5的器件，其中，所述部件的一層是摻有硼原子的P型層。

8、一種如權利要求5的器件，其中，所述光敏半導體層基本上是本征的。

9、一種如權利要求8的器件，其中，所述光敏半導體層由非晶硅半導體構成。

10、一種如權利要求1的器件，其中，所述透明半導體層由方格玻璃構成。

11、一種如權利要求1的器件，其中，所述對向電極是金屬電極，它還起到注入裝置的作用。

12、一種如權利要求11的器件，其中，與所述金屬電極接觸的所述半導體部件的半導體層為N型。

13、一種如權利要求12的器件，其中，所述金屬電極由鉻構成。

14、一種如權利要求11的器件，其中，所述透明電極帶有一個在其上形成一層鉻膜層的附加延展部分。

15、一種如權利要求1的器件，其中，所述半導體層由加在其中的NIN結構成。

16、一種如權利要求15的器件，其中，N型層的形成為300-1000。

17、一種如權利要求16的器件，其中，N型層形成為晶體結構。

18、一種如權利要求17的器件，其中，所述N型半導體層的導電率是10^-4-10Som^-1。

19、一種如權利要求1的器件，其中，所述半導體部件形成有加在其中的PIP結。

20、一種如權利要求19的器件，其中，所述半導體部件的光敏半導體層摻有氫原子或鹵素原子。

21、一種如權利要求20的器件，其中，所述光敏半導體的厚度為0.2至1微米。

22、一種如權利要求1的器件，其中，所述元件由多個具有大致相同形狀的部分組成，所述部分能夠分別具有光傳感器的作用。

23、一種如權利要求22的器件，其中，所述多個部分排列成陳列，該陳列具有各個部分的電極裝置。

24、一種如權利要求23的器件，其中，所述陳列為一個帶有所述透明電極和所述對向電極的矩陣，所述透明電極由多個平行隔離的條組成，所述對向電極也由多個平行隔置的條組成，所述部分置于構成所述電極裝置的所述電極裝置的交叉處。

25、一種半導體器件包括：

一塊襯底;

在襯底上的第一導電型的第一和第二非單晶半導體層;

一層安插在所述第一半導體層的半導體層之間的中間非單晶光敏半導體層，所述中間半導體層的摻雜水平低到使由所述三層構成的三層式半導體基本表現出非線性電壓-電流特性;以及

一個所述三層式半導體的電極裝置。