[其他]薄狀物等離子體處理裝置

無效

• 申請號: 87104097
• 申請日: 1987-06-09
• 公開（公告）號: CN87104097A
• 公開（公告）日: 1988-03-09
• 發明（設計）人: 小山元靖;寺岡英朗;赤木孝夫;山口新司;坂本逸樹;波明;岡垣勛
• 申請（專利權）人: 可樂麗股份有限公司
• 主分類號: B01J19/08
• 分類號: B01J19/08
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌,程天正

1、薄狀物等離子體處理裝置的特征是：滾筒形第一放電電極和與第一放電電極相對的第二放電電極安裝在真空容器內，滾筒形第一放電電極固定在穿通真空容器的轉軸上，與轉軸一起轉動，薄狀物在其外面移動，上述真空容器與連接上述兩個放電電極的電子回路是電絕緣的，在上述第一放電電極的圓筒部分與上述轉軸之間裝有使二者保證電絕緣的絕緣另件。

2、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述電子回路與第一放電電極相連接的導體插在上述轉軸之內。

3、按權利要求2所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極具有通過冷卻物的冷卻通道，該冷卻通道與冷卻插入上述轉軸內的上述導體的冷卻物的冷卻通道串聯連通。

4、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極具有通過冷卻物的冷卻通道，該冷卻通道通過由絕緣材料制成的連通管與轉軸內部的冷卻通道接通。

5、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極的內部空間與內裝等離子體氣體的氣體源接通，保持其內部壓強比上述真空容器的內部空間的壓強高。

6、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極的內部空間與大氣相通。

7、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極的內部空間是密封的。

8、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述第一放電電極的側面是用絕緣另件復蓋起來的。

9、按權利要求1所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是構成上述第二放電電極的多根棒狀電極相互平行地排列在包圍第一滾筒形電極的假想圓柱面上，各棒狀電極的兩端固定在支持架上，構成籠型結構，并通過絕緣另件安裝在真空容器內。

10、按權利要求9所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是構成籠型結構的棒狀電極的內部具有通過冷卻物的冷卻物通道，支持架把上述各棒狀電極的冷卻物通道的各個入口和出口分別連成并聯的冷卻通路。

11、按權利要求9所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是構成籠型結構的棒狀電極的內部具有通過冷卻物的冷卻物通道，支持架把上述各棒狀電極的冷卻物通道連成串聯的冷卻通路。

12、按權利要求10或11所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是與各棒狀電極的冷卻物通道連通的冷卻物的入口和出口設在支持架上。

13、按權利要求12所述的薄狀物等離子體處理裝置，其特征是上述入口和出口通過由絕緣材料制成的連通管與穿通真空容器的供液管和排液管接通。