[其他]陰極射線管用偏轉裝置無效
| 申請號： | 87102134 | 申請日： | 1987-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN87102134A | 公開（公告）日： | 1987-10-07 |
| 發明（設計）人： | 時田清;木田金治;中村三千夫;高橋亨 | 申請（專利權）人： | 東芝株式會社 |
| 主分類號： | H01J29/70 | 分類號： | H01J29/70;H01J29/76 |
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 魏文忠 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陰極射線 管用 偏轉 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、陰極射線管用偏轉裝置(21)包括用于在管(11)中水平地和垂直地偏轉電子束(18)的外表面的偏轉手段(22，23，24，25)，其特征在于，所述偏轉裝置包括至少覆在所述外表面的一部分上的用于增加有效表面積和提高裝置的熱耗散速度的熱耗散手段(27，30，31)。
2、根據權利要求1所述的偏轉裝置，其中，熱耗散手段包括一多孔陶瓷層。
3、根據權利要求2所述的偏轉裝置，還包括一柱體形模包圍著上述偏轉裝置，其中，偏轉手段包括一個水平偏向線圈，一個垂直偏向線圈，處于垂直偏轉線圈和模之間的用于修正偏轉場的分布的磁部件裝置，多孔陶瓷層涂在磁部件裝置上。
4、根據權利要求1所述的偏轉裝置，其中，偏轉手段還包括一包圍著模的并具有外表面含有一層多孔陶瓷層的磁心。
5、根據權利要求1所述的偏轉裝置，其中，所述模還包括一多孔陶瓷層涂層。
6、根據權利要求2所述的偏轉裝置，其中，所述陶瓷層包括硅和鋯的金屬氧化物。
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