[其他]高均勻膜層鍍膜裝置

無效

• 申請號: 86205339
• 申請日: 1986-07-08
• 公開（公告）號: CN86205339U
• 公開（公告）日: 1987-12-09
• 發明（設計）人: 周時培
• 申請（專利權）人: 周時培
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型是一種用于基片涂膜，特別是在基片上涂高均勻膜層的鍍膜裝置。

本實用新型是〔英〕H·A·麥克勞德1969年著，周九林、尹樹百1974年譯的《光學薄膜技術》第九章公開的那類鍍膜機基礎上發展而來的。

一種公知的旋轉的平面載盤鍍膜機，其鍍膜室中，蒸發源平行并置于載盤下方，工件夾具裝在載盤上并隨載盤一起繞被動輪的幾何中心軸線公轉。如用于大平面基片涂膜，膜層的周向均勻性和徑向均勻性都差，如只在載盤中心放置一個大平面基片，基片上膜層的均勻性雖然滿足使用要求，但效率太低，增加了產品的成本，也給大生產帶來了困難。如用于凸形基片涂膜，一般凸形基片上膜層的均勻性很差，尤其是特凸基片上膜層的均勻性極差，不僅膜層的徑向均勻性極差，而且膜層的周向均勻性也極差。另一種公知的平面行星式載盤鍍膜機，為了提高基片膜層的均勻性，在上述鍍膜機基礎上，在載盤上方裝上一個與載盤平行并同心的圓柱面或圓錐面摩擦軌道，在工件夾具上增加一個摩擦輪，在該機正常運轉時，摩擦輪在摩擦軌道上滾動，這樣，基片不僅能隨工件夾具一起繞被動輪的幾何中心軸線公轉，而且也同工件夾具一起以更大的轉速各自繞其本身的幾何中心軸線自轉。如用于大平面基片涂膜，膜層的周向均勻性雖然好，但膜層的徑向均勻性仍差，不能滿足使用要求。如用于凸形基片涂膜，特凸基片上膜層的周向均勻性雖然得到改善，但膜層的徑向均勻性仍然極差。一種遮擋技術被認為是????????適合特凸基片的鍍膜技術，由于是對基片逐個進行遮擋，遮擋片的形狀和大小就很難決定，而需要的遮擋片的種類又多，要求又嚴，操作又復雜，這種遮擋技術至今仍不能普遍而又廣泛地在各種凸形基片上涂高均勻膜層。

本實用新型的任務是：設計一種鍍膜裝置，該裝置既能在各種凸形基片上涂高均勻膜層，又能在大平面基片上涂高均勻膜層，而且操作簡單，使用方便。

其解決方案是：被動輪上方（或下方）的摩擦軌道至少由一對不具軸對稱的面對稱曲面構成，工件夾具距蒸發源最近的擺動極值角大于距蒸發源最遠的擺動極值角。

這樣，工件夾具不僅能繞被動輪的幾何中心軸線公轉，以便大的轉速各自繞其本身的幾何中心軸線自轉，而且還能各自繞其擺動中心作有規則的周期性的擺動，使各種凸形基片在距蒸發源較遠的膜層次要淀積區中所淀積膜層的均勻性進一步提高，尤其是在距蒸發源較近的膜層主要淀稱區中所淀積膜層的均勻性有特別顯著的提高。即基片置于鍍膜室淀積空間中任何一位置時，均處于淀積高均勻膜層的最佳狀態，從而保證了能在各種凸形基片上獲得均勻膜層。一般凸形基片膜層均勻性很好，其膜層的幾何厚度誤差在±5％以下；特凸基片的膜層均勻性比平面行星式載盤鍍膜機提高15％至45％。

同理，采用上述特征的鍍膜機，能在大平面基片上涂高均勻膜層，其膜層的均勻性能夠????????達到甚至超過臥式旋轉平面載盤鍍膜機的載盤中心區的膜層均勻性。

另外，具有上述特征的鍍膜機還能在特凹形基片上涂高均勻膜層，基片邊緣對中心的遮擋作用比采用冷光鏡鍍膜機大，如冷光鏡上膜層的光學厚度誤差可降低到±5％以下。另外，摩擦軌道的對稱面的方向可調，因而應用范圍愈廣。

為了進一步提高各種特凸基片的膜層均勻性，特設計一種可調可折可卸的空間遮擋片載臺裝置，裝在蒸發源正前方，摩擦軌道，被動輪和工件夾具下方的鍍膜室底盤上，以適宜放置空間遮擋片。空間遮擋片載臺可通過可調物使其兩端同時或分別升降，升降高度可直接從刻數物上的刻數讀出。這樣，各種特凸形基片在經過裝置的膜層淀積空間的某一區域時，蒸發膜料只能淀積到基片的邊緣上，而不能淀積到基片的中心區。

因此，具有上述特殊結構的鍍膜機，只需要少數空間遮擋片就能在各種特凸形基片上涂高均勻膜層，邊緣的膜層厚度能夠達到甚至超過中心的膜層厚度。各種特凸基片膜層的幾何厚度誤差或光學厚度誤差都可達到±3％以下，而且空間遮擋片的形狀和大小可用簡單方法就能基本決定，如作圖法等。

為了使用不同的蒸發源，本裝置都能在基片上涂高均勻膜層，上述特殊形狀的摩擦軌道可通過可調物使其對稱面能繞被動輪的幾何中心軸線轉動，轉動角度可直接從刻數物上的刻數讀出。同理，空間遮擋片載臺也可通過可調物使其對稱面繞被動輪的幾何中心軸線轉動，轉動角度也可以直接從刻數物上的刻數讀出。