[其他]透明導電膜與導線焊接及膜上金屬電極制備

無效

• 申請號: 86108870
• 申請日: 1986-12-29
• 公開（公告）號: CN86108870A
• 公開（公告）日: 1988-07-20
• 發明（設計）人: 李謀介
• 申請（專利權）人: 華中師范大學
• 主分類號: H01R4/02
• 分類號: H01R4/02;H05K3/18
• 代理公司: 華中師范大學專利事務所
• 代理人: 孔薇齡,張昌旭

1、一種透明導電膜與導線的連接技術，其特征在于用普通焊錫和電烙鐵將導線焊接到以玻璃為基底的透明導電膜上。

2、根據權利要求1所述的一種焊區處理工藝，其特征在于對已制備了透明導電膜的焊區，先用金剛砂和HF+NH₄F的水溶液進行粗化處理，再用加有錫粒的SnCl₂·2H₂O+HCl的溶液進行敏化處理，又用PdCl₂·2H₂O的水溶液進行活化處理，然后用80～85℃的NiCl₂+NaH₂PO₂·H₂O+NH₄Cl+Na₃C₆H₅O₇·2H₂O的水溶液淀積Ni過渡層。

3、根據權利要求1所述的一種焊區處理工藝，其特征在于對玻璃基底的擬焊部位先用金剛砂和HF+NH₄F的水溶液進行粗化處理，而后淀積SnO₂薄膜，再用PdCl₂·2H₂O的水溶液進行活化處理，然后在80～85℃的NiCl₂+NaH₂PO₂·H₂O+NH₄Cl+Na₃C₆H₅O₇·2H₂O的水溶液中淀積Ni過渡層。

4、根據權利要求2、3所述的工藝，其特征在于粗化處理的水溶液成份比例為HF（40）%∶NH₄F∶H₂O＝9ml∶5g∶200ml。

5、根據權利要求2所述的工藝，其特征在于用水溶液進行粗化處理的時間為5～25秒鐘。

6、根據權利要求3所述的工藝，其特征在于用水溶液進行粗化處理的時間為1～3分鐘。

7、根據權利要求2所述的工藝，其特征在于敏化處理的水溶液成份比例為SnCl₂·2H₂O∶HCl∶H₂O＝2g∶8ml∶200ml。

8、根據權利要求2、3所述的工藝，其特征在于活化處理的水溶液成份比例為PdCl₂·2H₂O∶H₂O＝0.05～0.15g∶200ml，另外加入適量HCl，使溶液的PH值調整為3～3.5。

9、根據權利要求2、3所述的工藝，其特征在于用滴管或注射器將活化液點涂到已予熱至40～50℃的焊接部位，然后用50～80℃的清潔水浸漂數分鐘。

10、根據權利要求2、3所述的工藝，其特征在于淀積過渡層的水溶液成份比例為NiCl₂∶NaH₂PO₂·H₂O∶NH₄Cl∶Na₃C₆H₅O₇·2H₂O∶H₂O＝9g∶4g∶10g∶9g∶200ml，另外加入適量NH₄OH，使溶液的PH值調整為8～8.5。

11、一種SnO₂薄膜的電性能應用技術，其特征在于在SnO₂薄膜上制備出可發揮平面電極作用的金屬導電帶。

12、根據權利要求11，其特征在于用PdCl₂·2H₂O∶H₂O∶HCl＝0.05～0.15g∶200ml∶適量（控制PH為3～3.5）溶液涂抹SnO₂薄膜表面的擬制電極部位，再用80～85℃的NiCl₂∶NaH₂PO₂·H₂O∶NH₄Cl∶Na₃C₆H₅O₇·2H₂O∶H₂O∶NH₄OH＝9g∶4g∶10g∶9g∶200ml∶適量（控制PH值為8～8.5）溶液淀積Ni金屬導電帶。