[其他]半導(dǎo)體器件的制造方法和系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86107683
• 申請(qǐng)日: 1986-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN86107683A
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/205
• 分類號(hào): H01L21/205;C30B25/00;H01L31/06
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)包括：

第一CVD系統(tǒng)，具有在其內(nèi)可進(jìn)行CVD工藝的第一反應(yīng)室；第二CVD系統(tǒng)，具有在其內(nèi)可進(jìn)行微波增強(qiáng)CVD工藝的第二反應(yīng)室，所說(shuō)的第一和第二反應(yīng)室可以互相連通；

固定基片的基片夾持器；

和傳遞裝置，用來(lái)把夾持器從所說(shuō)的第一反應(yīng)室內(nèi)部在密封條件下傳遞到所說(shuō)的第二反應(yīng)室之內(nèi)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)還包括第三CVD系統(tǒng)，具有在其內(nèi)可進(jìn)行CVD工藝的第三反應(yīng)室，所說(shuō)的第二和第三反應(yīng)室可以在密封條件下互相連通。

3、根據(jù)權(quán)利要求2的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的第一CVD系統(tǒng)適于進(jìn)行P型半導(dǎo)體層的淀積;所說(shuō)的第二CVD系統(tǒng)適于進(jìn)行Ⅰ型半導(dǎo)體層的淀積;而所說(shuō)的第三CVD系統(tǒng)適于進(jìn)行N型半導(dǎo)體層的淀積。

4、根據(jù)權(quán)利要求1的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)進(jìn)一步包括一個(gè)可把第一和第二反應(yīng)室分隔開(kāi)的閘門閥。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的夾持器被做成可夾持基片的襯套形。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，當(dāng)所說(shuō)的夾持器處于所說(shuō)的反應(yīng)室室內(nèi)時(shí)，其中所說(shuō)的襯套形的夾持器大致把所說(shuō)的夾持器限制在進(jìn)行CVD化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)區(qū)域之中。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的微波增強(qiáng)CVD系統(tǒng)是ECR系統(tǒng)和CVD系統(tǒng)的聯(lián)合系統(tǒng)。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的第一個(gè)CVD系統(tǒng)是輝光放電CVD系統(tǒng)。

9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的第一個(gè)CVD系統(tǒng)是光增強(qiáng)CVD系統(tǒng)。

10、根據(jù)權(quán)利要求3所述的一臺(tái)制作半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)，其中所說(shuō)的這樣形成的層是一個(gè)太陽(yáng)電池。

11、一種制作半導(dǎo)體器件的方法包括：

一個(gè)把基片固定在基片夾持器上的步驟;

一個(gè)把所說(shuō)的夾持器放置在第一反應(yīng)室內(nèi)的步驟;

一個(gè)在所說(shuō)的第一反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行第一CVD工藝的步驟;

一個(gè)不使所說(shuō)的基片接觸大氣，將所說(shuō)的夾持器從第一反應(yīng)室傳遞到第二反應(yīng)室的步驟;

和一個(gè)在所說(shuō)的第二反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行第二個(gè)用微波增強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)的步驟。

12、根據(jù)權(quán)利要求11的方法還包括：

一個(gè)不使所說(shuō)的基片接觸大氣，將所說(shuō)的夾持器從第二反應(yīng)室傳遞到第三反應(yīng)室的步驟;

和一個(gè)在所說(shuō)的第三反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行第三個(gè)化學(xué)反應(yīng)室的步驟。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所說(shuō)的第一、第二和第三化學(xué)反應(yīng)分別根據(jù)淀積P型、I型和N型半導(dǎo)體的條件進(jìn)行。

14、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所說(shuō)的第一、第二和第三化學(xué)反應(yīng)分別按淀積N型、I型和P型半導(dǎo)體的條件進(jìn)行。

15、根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所說(shuō)的P型、I型和N型半導(dǎo)體集積構(gòu)成一個(gè)太陽(yáng)電池。

16、根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所說(shuō)的第二化學(xué)反應(yīng)是得到硅化物氣體，鍺化合物氣體、錫化合物氣體或碳化物氣體的充分供應(yīng)的。