[其他]具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置無效
| 申請號: | 86103480 | 申請日: | 1986-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN86103480B | 公開(公告)日: | 1988-10-19 |
| 發明(設計)人: | 波波維克·拉迪沃耶;索爾特·卡塔林;伯奇爾·詹露克 | 申請(專利權)人: | 蘭迪斯·吉爾楚格股份公司 |
| 主分類號: | H01L27/22 | 分類號: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96;H01L43/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 瑞士楚格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 集成電路 集成 元件 裝置 | ||
本發明涉及一種按權利要求1前序部分所述的、具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置。
這種裝置例如可裝在功率表或電度表上用來測量電流iN或用來構成電壓和電流乘積:uN·iN。在這里uN表示供電網的額定電壓,iN表示由電能用戶所耗費的電流。因為電流iN與它所產生的磁場HN成正比,所以如果能得出HN,那么霍耳元件就可間接地測量電流iN。因為霍耳電流的輸出電壓VH與乘積i·HN成正比(這里i表示霍耳元件的饋電電流),所以如果用電阻使霍耳元件的饋電電流i正比于電網電壓uN,那么霍耳元件也能構成電壓和電流乘積;uN·iN。在這種情況下霍耳元件必須作為四象乘法器進行工作,因為uN和iN也就是i和HN都是正弦形的,它們都具有正、負值。
由“縱向霍耳效應器件”一文(“Theverticalhalleffectdevice”R·S·Popovic,IEEEElectronDeviceLetters,Vol,EDL-5,№.9,Sept.84,第357-358頁)可知,按權利要求1前序部分所述可集成的縱向霍耳元件已屬公知。可集成的縱向霍耳元件是那種可以用來測量磁場HN(這種磁場平行于集成霍耳元件的上表面)的霍耳元件。
從“霍耳效應探針及其在全自動磁性測量系統中的應用”一文(“Halleffectprobesandtheiruseinafullyautomatedmagneticmeasuringsystem”,M·W·Poole和R·P·Walker,IE-EETransationsonMagnetic,Vol,MAG-17,№5,Sept·81,第2132頁)中可以明顯地看出,有關霍耳元件的穩定性尤其是長期穩定性的敘述很少而且只是從原理上進行了說明。
本發明的任務在于,采用一種能同時生產可集成霍耳元件和可集成晶體管的工藝方法,以獲得可集成霍耳元件的長期穩定性。
所述的任務將按本發明權利要求1特征部分的特征來完成。
由從屬權利要求的特征所解決的其它任務是:獲得可集成霍耳元件的濕度穩定性以及在已知饋電電流i恒定時把特性曲線VH=f(B)線性化。這里VH表示霍耳元件的輸出電壓,B=μHN表示要測量的磁場HN的感應強度。
本發明的實施例由附圖所示,下面將對實施例進行詳細描述。
圖1埋入式穩定霍耳元件第一種原理方案的平面圖,
圖2圖1所示霍耳元件的垂直剖面圖,
圖3圖1和2所示霍耳元件第一種實際實施方案的平面圖,
圖4圖3和圖5所示霍耳元件的垂直剖面圖,
圖5圖1和2所示霍耳元件第2種實際實施方案的水平視圖,
圖6勢壘式場效應晶體管的兩種實施方案的平面圖,這種晶體管是用與生產圖3至5所示霍耳元件相同的方法生產的,
圖7圖6所示勢壘式場效應晶體管的垂直視圖,
圖8埋入式穩定霍耳元件第二種原理方案的平面圖,
圖9圖8所示霍耳元件的垂直視圖,
圖10圖8和9所示霍耳元件第一種實際實施方案的平面圖,
圖11圖10所示霍耳元件的垂直視圖,
圖12勢壘式場效應晶體管的平面圖,這種晶體管是用與生產圖10和11所示霍耳元件相同的方法生產的,
圖13圖12所示勢壘式場效應晶體管的垂直視圖。
圖14圖8和9所示霍耳元件第二種實際實施方案的水平視圖,
圖15圖14和16所示霍耳元件的垂直視圖,
圖16圖8和9所示霍耳元件第三種實際實施方案的水平視圖,
圖17帶有5個接頭的垂直霍耳元件的連接電路圖,
圖18具有霍耳元件裝置的方框圖,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





