[其他]新型太陽能反光材料及制備技術(shù)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85107406 | 申請日: | 1985-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN85107406A | 公開(公告)日: | 1986-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭信章 | 申請(專利權(quán))人: | 北京市太陽能研究所 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;G02B5/08 |
| 代理公司: | 北京市科技專利事務(wù)所 | 代理人: | 韓建功 |
| 地址: | 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 新型 太陽能 反光 材料 制備 技術(shù) | ||
本發(fā)明屬于真空物理氣相沉積技術(shù),並與太陽能反光材料有關(guān)。
迄今用于太陽能反光材料一般為玻璃基體上涂鋁膜、銀膜的背面鏡,也有在滌綸上面鍍鋁薄膜再加上保護(hù)薄膜的反光材料。它們的主要缺點是耐候性,耐磨性能較差,壽命較短。如美國太陽能技術(shù)手冊A部(Salar????Energy????Technolegy????Handbook????Part????A,New????York,1980)中介紹的背面玻璃鏡,塑料金屬化薄膜及拋光的金屬鋁等材料均屬于上述情況。目前尚未找到一種耐候性,耐磨性及鏡反射率都可滿足使用要求的反光材料。
近代利用CVD法制備ZrN,TiN等工藝,其沉積溫度高,工藝參數(shù)復(fù)雜和不易重復(fù)等,如Thin????Solid????Films,72(1980)51~58之文獻(xiàn)中所述的工藝對不銹鋼,鉬和石英等基體可適用,而對玻璃等由于沉積溫度太高而不能作為基體材料。如US4226082主要研究TiN用作裝飾鍍手表部件等,如GB2075068研究ZrN,TiN等主要應(yīng)用在刀具的表面硬化的鍍膜等。上述工作研究的目的均不是作為反光材料而研究其化學(xué)結(jié)構(gòu)配比的。要指ZrNx,TiNx(x=0~1)薄膜應(yīng)用到太陽能聚光裝置上的反光材料,則必須使它的可見光譜的反射率增加。采用有效的方法使它的反射率向短波方向移動,使整個太陽光譜的反射率提高。除基體平整處理外,還要想法使材料中的費米能增加的途徑來實現(xiàn)。這樣就要增加導(dǎo)電子數(shù)及等離子的能量,並且使氮的晶格位置上產(chǎn)生一定的空穴來達(dá)到此目的,使鏡反射率性能滿足太陽能利用的要求。因此尋求一種合適的工藝路線和參數(shù)來獲得一種可用的反光材料是本發(fā)明的目的。
本發(fā)明的構(gòu)成是采用磁控濺射技術(shù)在不銹鋼、碳鋼,其它合金材料、玻璃、陶瓷及能耐300℃左右的高分子材料涂層表面上制備ZrNx,TiNx及Zr,Ti,與其它元素合金的化合物的反光鍍膜。利用真空鍍膜機(jī)在磁控濺射過程中,在加熱到200℃~450℃的基體上一直施加一個-50V~-300V的偏壓,通過對基體加偏壓來提高反射率,改善表面狀況。同時由兩根導(dǎo)氣管分別向真空室內(nèi)通入可調(diào)氣體分壓的氮和氬,反應(yīng)氣體與靶上濺射出來的Zr或Ti或它們的合金元素起反應(yīng)沉積到加偏壓的基體上生成一定厚度的反射膜,反射膜厚約0.5μm不必進(jìn)行再處理就可直接應(yīng)用。
在膜生成的濺射過程中,它采用了反應(yīng)氣體和放電氣體分別進(jìn)入真空室,在電弧下激發(fā)出活性的金屬原子或離子和氮離子,通過不斷改變反應(yīng)氣體的分壓和濺射時間來生成不同成份的多層的金屬氮化物,其化學(xué)結(jié)構(gòu)元素的配比可由1變到0,從而得到各種不同顏色的,不同物理性能的彩色反光膜。如銀白色到金黃色甚至紅黃色的各種顏色的膜。
本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于太陽能反光裝置,同樣亦可應(yīng)用到反射率要求高,耐磨及耐腐蝕的光亮裝飾鍍的部件上。
用本發(fā)明制作的反光材料具有制作工藝簡單,成本低廉,物理性能及化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械性能良好,以及鏡反射率高,壽命長等特點。用它來作太陽能聚光裝置的反光面,如太陽灶,太陽爐,聚光的光電池的反光面等室外使用的裝置,其使用壽命比現(xiàn)有的可提高一倍至數(shù)倍。上述的積極效果是現(xiàn)有技術(shù)不可比擬的。
本發(fā)明的實施例如下:
基體進(jìn)行化學(xué)或機(jī)械拋光(如金屬材料),再用丙酮清洗,酒精漂洗后烘干裝入爐內(nèi)。真空室的壓力抽空到1×10-4托以下,最好能抽到5×10-5托。加熱基體到200~450℃保溫10~40分鐘,基體加偏壓為-50~-300V。分別通入N2及Ar氣,使N2的分壓在1×10-2~1×10-4托,Ar氣的分壓在5×10-2~10-4托之間,在濺射當(dāng)中不斷調(diào)節(jié)合適的分壓比。濺射靶上通入電壓為-400~-1000V,電流為10mA~200mA/cm2,濺射時間根據(jù)需要在5~30分鐘之間變化,若膜層要求厚還可以增加。
最后關(guān)掉電源,停止通N2及Ar氣,為了加速冷卻可通入Ar氣使?fàn)t內(nèi)壓力在10-2托下冷卻,基體冷到50~100℃通大氣開爐取產(chǎn)品。通過以上工藝制得的薄膜其組織為Zr,Zr2N及ZrN,它的鏡反射率可達(dá)到70%以上,是一種耐磨、耐腐蝕及耐候性良好的反光材料。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





