[其他]新型太陽能反光材料及制備技術

無效

• 申請號: 85107406
• 申請日: 1985-10-09
• 公開（公告）號: CN85107406A
• 公開（公告）日: 1986-07-02
• 發明（設計）人: 郭信章
• 申請（專利權）人: 北京市太陽能研究所
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;G02B5/08
• 代理公司: 北京市科技專利事務所
• 代理人: 韓建功

1、一種反光鍍膜，其特征在于用磁控濺射方法在不銹鋼，碳鋼，其它合金材料，玻璃，陶瓷及能耐溫300℃左右高分子材料涂層表面上制備ZrNx，TiNx及Zr，Ti與其它元素合金的化合物的反光鍍膜。

2、如權利要求1所述的反光鍍膜，其特征在于在膜生成的磁控濺射過程中，加熱溫度為200℃～450℃的基體上施加一個-50V～-300V的偏壓來提高反光率，改善表面狀況，同時向真空室內分別通入可變分壓的氮氣及氬氣，反應氣體與靶上濺射出來的Zr或Ti及它們的合金元素起反應沉積到加偏壓的基體上，生成一定厚度的反射膜。

3、如權利要求1所述的反光鍍膜，其特征在于在膜生成的磁控濺射過程中可以不斷改變反應氣體的分壓和濺射時間來生成不同成份多層的金屬氮化物。其化學結構元素的配比，可從1變到0而得到所需要的物理性能的配比膜。

4、如權利要求1至3所述的反光鍍膜，其特征在于可通過調整反應氣體分壓以及所施加的偏壓可得到各種不同顏色的彩色反光膜，此種反光膜也可作為裝飾膜。