[其他]塑料封裝的半導體器件

無效

• 申請號: 85107248
• 申請日: 1985-09-28
• 公開（公告）號: CN85107248A
• 公開（公告）日: 1986-08-13
• 發明（設計）人: 黑爾加·沃格特
• 申請（專利權）人: 聯邦德國ITT工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L29/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

本發明涉及到塑料封裝的半導體器件，包括一個半導體主體，其中至少在它的一側有金屬接觸和/或導電引線，還制有一層氮化硅保護層。覆蓋住半導體主體的整個表面，包括電極和交界面的圖形，也就是權利要求1的序言中所述的。

如眾所周知的，常用的制造半導體器件的方法是這樣，用一片半導體材料，制成具有不同導電類型的各個區域，再用導電材料制做引線。例如用鋁，并將其連接起來。這種半導體片子和系統非常靈敏，并且很容易被損壞。在進一步加工的過程中，可能很容易受到環境的污染，并且那些引線由于很短，彼此又十分靠近，就更容易受到損壞。其結果會導至半導體器件的電學特性產生偏差。因此，為了避免這種偏差，就需要在半導體的主體上使用保護層，用來保護半導體片子的表面以及在半導體片子上制作的引線和電極。對于保護層來說，一般人們所知道的是使用絕緣材料，然而絕緣材料仍然具有吸氣劑的性質，這方面的技術可見IBM雜志中1964年9月第376-384頁和1964年4月第102-114頁。由于使用了氮化硅，半導體器件的性能得到改進。從而氮化硅成為特別適宜在半導體主體上做為保護層的材料。使用這種材料不但能保護涂層表面免受機械損傷（即機械劃傷），還能免遭大氣中的污染（即外界離子的污染）。

然而，如前面已經敘述過的半導體器件，以及從德國已公開的專利申請號DE1614，374中也可以了解到的半導體器件仍然存在著一些缺點。如眾所周知的，為了獲得有廣泛市場的半導體器件，在半導體器件中，使用和建立起下面所述的電連接方法，以便保護半導體器件和提供更好的放置半導體器件的方法，把半導體器件放在一個外殼內。該外殼可以用玻璃、陶瓷、金屬或塑料等材料制成。用分層模壓法或者用擠壓模塑法將其封裝到一個塑料外殼中是十分有效的做法。這樣，在外殼的里面，必須有很大的剪切力時才能導至鋁引線的斷裂。其理由可以從下面看到，在封裝過程中，氮化硅保護層的厚度并不足以用做填充鋁導線之間的自由表面以達到防止側面壓力施加到這些導線上的程度。然而，在淀積氮化硅期間，隨著精確的露出原來結構，那些尖銳的邊緣仍然會導至產生側面壓力。

因此，氮化硅的層厚或稱之為氮化硅保護層厚度必須這樣來確定，也就是要避免由于壓力而結果導至破碎，而存在著的壓力是很容易使氮化硅涂層裂開或是碎掉的。然而，這意味著，比鋁導線的高度低的氮化硅保護層的厚度，不足以充分地保護半導體器件避免側面壓力的影響。

這正是本發明要解決的問題，本發明的目的正如在權利要求中提到的特征部分那樣，是提供一種半導體器件，其中將器件的導線和彼此之間的接觸加以保護，使其能夠抵抗斷裂的壓力。

一方面，用本發明可實現的優點是解決它本身的問題。也就是提供了一種半導體器體，并保護了半導體器件中的導線以抵抗斷裂壓力。另一方面，與此相連系的是改進了質量。并且在制造半導體器件的過程中，還提高了產量。

下面，參考附圖1到附圖3，將詳細地解釋本發明：

圖1表示按照先有技術中使用的半導體器件中半導體的主體部分。

圖2和圖3表示關于本發明示例的實施方案中的部分橫截面。

圖1表示按照先有技術的半導體器件中半導體主體的部分，其中包括半導體基片1。在該基片中沒有標出形成的不同導電型區域，在基片1的一側表面上，裝配了鋁制的導線2，該導線剛好連接到保持自由的半導體基片的表面上，并用一層氮化硅保護層3覆蓋住，氮化硅保護層3的厚度在0.2微米到0.8微米之間，最好用0.4微米的氮化硅保護層厚度。在有尖銳的邊緣以及側面壓力的那些點上，都用箭頭在圖1中指示出來。

本發明示例的實施方案有如圖2所示，這與圖1所示的先有技術之間的差別在于：用一層二氧化硅保護層4覆蓋住氮化硅的保護層3，其厚度在0.8微米到2.0微米之間，最適宜的厚度是在1.0微米到1.2微米之間。如果需要的話，還可以再用一層氮化硅保護層5將二氧化硅保護層覆蓋住，其厚度為0.4微米，正如圖3中所示。

制造半導體器件的次序有如圖2和圖3所示，首先準備好一片半導體基片1，然后，用通常所使用的加工方法進行生產制造，按照通常使用的工藝過程制造出來的結構有如圖1所示，在等離子體反應室內，使用汽相的硅烷和氨水用淀積的方法制造氮化硅保護層3。再用同一個反應室，以氧代替氨，可在氮化硅保護層3上淀積上一層氧化硅保護層4，氧化硅的厚度在1.0微米到1.2微米的范圍之間，如圖2所示。如果需要的話，使用前面提到過的工藝方法，可以在二氧化硅保護層4上再淀積一層氮化硅層5。

這樣淀積的二氧化硅可以是很純的，但是，使用摻雜了的二氧化硅做為保護層仍能得到同樣好的效果。