[其他]塑料封裝的半導體器件無效
| 申請號： | 85107248 | 申請日： | 1985-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN85107248A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 黑爾加·沃格特 | 申請（專利權）人： | 聯邦德國ITT工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/50;H01L29/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 聯邦德國7800弗*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 塑料 封裝 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1、一種塑料封裝的半導體器件包括一個半導體基片(1)，至少在半導體基片的一側上，制有電極和導線，用氮化硅保護層3覆蓋住整個半導體基片的表面，同時還覆蓋住上面的電極和導線，其特征是：用二氧化硅的保護層(4)覆蓋住上述氮化硅保護層3。
2、按照權利要求1所述的一種塑料封裝的半導體器件，其特征是：用一氮化硅保護層（5）再覆蓋住上述二氧化硅保護層（4）。
3、按照權利要求1或2所述的一種塑料封裝的半導體器件，其特征是：有一層或多層氮化硅保護層（3，5），其厚度為0.2微米到0.8微米的范圍內，還有二氧化硅保護層（4），其厚度為0.8微米到2.0微米的范圍內。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
