[其他]涂層制品

無效

• 申請號: 85106620
• 申請日: 1985-09-02
• 公開（公告）號: CN85106620A
• 公開（公告）日: 1987-03-25
• 發明（設計）人: 戴維·安東尼·泊特
• 申請（專利權）人: 皮爾金頓·布拉澤斯公共有限公司
• 主分類號: C03C17/30
• 分類號: C03C17/30
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 吳大建,全菁

本發明涉及到為玻璃外表面的堿金屬離子遷移提供屏蔽層的表面涂層玻璃的制造和應用，也涉及到包括這樣的涂層玻璃的制品。

已知，玻璃上的某些涂層由于玻璃外表面堿金屬離子遷移到涂層中而劣化。例如，英國專利說明書705934中敘述了鈉鈣硅酸鹽玻璃上透明導電涂層的云霧狀外觀。如果在涂層電層之前由玻璃表面除去堿金屬離子，云霧可減少;或者在涂導電膜之前先涂一中間膜，例如二氧化硅或氧化鈦，云霧也可減少。二氧化硅膜用以下兩種方法中的一種制成。一種方法是把揮發性的非水溶液的四氯化硅、四溴化硅或硅-三氯甲烷溶液噴到玻璃上并曝露在大氣中直到涂層干燥，然后將其擦亮;另一種方法是把玻璃板浸在部分水解的硅酸酯，例如正硅酸乙酯中并干燥。

歐洲專利說明書EP0071865????A3類似地涉及到由于堿金屬離子擴散到玻璃表面并與對堿金屬敏感的覆蓋層相互作用致使鈉鈣硅酸鹽玻璃上的導電涂層劣化的問題。說明書提及擴散的結果可能使得導電層產生白色渾濁體、透明度降低、電阻增加以及物理化學穩定性降低。也提及液晶顯示器件、電致變色器件和無定型硅光電池等因堿金屬離子由玻璃基質擴散而劣化的問題。這些器件一般都有導電層，例如玻璃上的銦錫氧化物，但是EP0071865????A3提及了堿金屬離子與上面覆蓋的那些導電層的相互作用產生的影響（堿金屬離子對導電層的任何直接影響除外）。EP0071865????A3提出，用含有鍵接到硅上的氫的氧化硅屏蔽層來阻止來自玻璃基質的堿金屬離子的擴散。屏蔽層可用真空氣相沉積法、濺射法、離子涂敷、溶膠/凝膠法或用CVD法亦即化學氣相沉積法制得。所述的在玻璃基質上沉積氧化硅層的CVD法條件是：溫度為300℃到550℃，氧與單硅烷氣（SiH₄）的比率是O₂∶SiH₄達到10∶1到60∶1，于氧化條件下進行。

英國專利說明書2，031，756????B披露了包括氧化硅在內的金屬氧化物層的應用，這些氧化物層作為衰減顏色的層用以降低玻璃上的半導體金屬氧化物紅外反射涂層呈現的輻射反射色。半導體金屬氧化物可以是摻氟的氧化錫，且說明書提及大家都知道的無定形氧化硅層在阻止來自玻璃的堿金屬離子的擴散從而避免最后沉積上覆蓋的氧化錫層時形成云渭罱面的作用。根據英國專利說明書2031756????B，所用的衰減顏色的層，其折射率最好是1.7～1.8，厚度最好是64～80nm。包括氧化硅在內的那些涂層可于300～500℃、在存在使之氧化的氣體情況下用硅烷以化學氣相沉積法沉積在熱玻璃上制備。

英國專利說明書1，507，465敘述了一種把硅反射涂層涂到平板玻璃上以及到美觀、令人喜愛的銀反射色的陽光控制玻璃上的方法。涂層方法是把硅烷氣通到玻璃表面的熱區，并在所說的熱區保持非氧化狀態以使硅烷熱解從而在玻璃表面上沉積上反射的硅涂層。英國專利說明書1，573，154敘述了1，507，645制取反射陽光控制玻璃的改進方法;在改進方法中，加氣態的給出電子的化合物，例如乙烯，到含硅烷的氣體中，使得涂層玻璃在抗外部堿浸蝕方面得到了意外的改進。給出電子的化合物與硅烷之比一般為0.1～2.0，最好是0.2～0.5，盡管說明書提及比例大于2.5，例如5時，可制取具有很好抗擦傷性的抗堿的硅涂層，但在無給出電子的化合物存在時卻對見光無高度的反射性。該涂層可涂在建筑玻璃上，例如敘述了涂在6mm厚的鈉鈣硅酸鹽浮法玻璃和壓延玻璃上的應用。把用乙烯作為給出電子的化合物所得到的涂層進行分析后發現，盡管它們是在非氧化條件下制備的，但它們仍含有一些氧。

眾多應用發現，如英國專利說明書1，573，154中所敘述的那樣，當有高比例的給出電子的化合物存在時所得到的薄的透明涂層含有來自玻璃的氧，且作為來自玻璃表面的堿金屬離子遷移的屏蔽層有著驚人的效果。所得到的涂層玻璃可用作對堿金屬離子敏感的覆蓋層（或直接涂在屏蔽層上或涂在中間層上）的基質。

按照本發明，提供了降低來自含堿金屬離子的玻璃中的堿金屬離子擴散到覆蓋層的方法，這種方法包括在玻璃和覆蓋層中間以熱解硅烷氣的方法涂上一層含硅和氧的透明屏蔽層，其特征在于硅烷是在存在氣態的給出電子的化合物情況下，于600℃以上熱解在玻璃表面上，從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成厚達50nm的透明屏蔽層。

此處所用的“透明屏蔽層”一詞指的是涂在厚6mm的透明浮法玻璃上，使涂層玻璃的光透過率至少為75%的涂層。