[其他]涂層制品無效
| 申請號: | 85106620 | 申請日: | 1985-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN85106620A | 公開(公告)日: | 1987-03-25 |
| 發明(設計)人: | 戴維·安東尼·泊特 | 申請(專利權)人: | 皮爾金頓·布拉澤斯公共有限公司 |
| 主分類號: | C03C17/30 | 分類號: | C03C17/30 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 吳大建,全菁 |
| 地址: | 英國默西賽*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 涂層 制品 | ||
1、降低來自含堿金屬離子的玻璃的堿金屬離子擴散到覆蓋層中的方法,此法包括在玻璃和覆蓋層之間涂敷一層含硅和氧的透明屏蔽層,此層是用熱解硅烷氣的方法進行涂敷的,其特征是在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上把硅烷熱解在玻璃表面上,從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成厚度高達50mm的透明屏蔽層。
2、含堿金屬離子的玻璃的涂層方法,其中在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上把硅烷氣熱解在玻璃表面上,從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成含硅和氧的厚度高達50nm的透明層,而且隨后把對來自玻璃的堿金屬離子擴散敏感的層涂敷在已涂層的玻璃表面上。
3、按照權項1或2所述的方法,其中,所用的硅烷氣是單硅烷(SiH4)。
4、按照權項1~3中的任何一項所述的方法,其中,硅烷氣用惰性氣體稀釋。
5、按照權項1~4中的任何一項所述的方法,其中,所用的給出電子的化合物不含氧。
6、按照權項5所述的方法,其中,氣態的給出電子的化合物是含2~4個碳原子的烯烴。
7、按照權項6所述的方法,其中,氣態的給出電子的化合物是乙烯。
8、按照權項1~7中的任何一項所述的方法,其中,氣態的給出電子的化合物與硅烷的體積比為0.5∶1~15∶1。
9、按照權項1~8中的任何一項所述的方法,其中,透明屏蔽層涂敷在厚度不大于2mm的玻璃上。
10、按照權項1~9中的任何一項所述的方法,其中,屏蔽層涂敷在浮法玻璃帶上,這是在玻璃帶在熔融金屬浴槽上通過時進行的。
11、按照權項2~10中的任何一項所述的方法,其中,對堿金屬離子擴散敏感的層是用濺射、化學氣相沉積或用噴涂液態或固態反應物到涂層玻璃表面上的方法進行的。
12、按照權項11所述的方法,其中,所說的涂層是摻雜的金屬氧化物透光層。
13、導電玻璃板,其中包括含堿金屬離子的玻璃基質,它上面具有厚達50nm的含硅和氧的透明屏蔽層,此涂層是在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上把硅烷氣體熱解在玻璃表面上從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成透明屏蔽層的方法涂敷的,在屏蔽層上還包括導電金屬氧化物層,其電阻率小于每平方50歐姆。
14、紅外反射的平板玻璃,其中包含堿金屬離子的玻璃基質,它上面具有厚達50nm的含硅和氧的透明屏蔽層,此層是在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上把硅烷氣體熱解在玻璃表面上,從而用來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成透明屏蔽層的方法涂敷的,還包括在屏蔽層上涂有的透光的摻雜金屬氧化物的紅外反射層。
15、厚度高達2mm的具有厚達50nm的含硅和氧的透明屏蔽層的玻璃,其中,屏蔽層是在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上把含硅烷的氣體熱解在玻璃表面上,從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成透明屏蔽層的方法沉積的。
16、按照權項15所述的玻璃,其中,所用的氣態的給出電子的化合物不含氧。
17、按照權項15或16所述的玻璃,其中,氣態的給出電子的化合物是含2~4個碳原子的烯烴。
18、按照權項16所述的玻璃,其中,氣態的給出電子的化合物是乙烯。
19、液晶顯示器件,其中包括兩個對著的導電層,兩層之間是液晶材料,以及所說的每一導電層上與液晶材料相接觸的補償層,其中,導電層中至少一層是支撐在厚2mm以下的含堿金屬離子的玻璃基質上,且在所說的導電層和玻璃之間有一厚達50nm的含硅及氧的沉積在玻璃表面上的透明屏蔽層,此層是在存在氣態的給出電子的化合物情況下,于600℃以上用熱解硅烷的方法進行涂敷的,從而來自玻璃的氧與硅一起在玻璃表面上形成透明屏蔽層。
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