[其他]組件板和用此類板制成的組件及它們的加工方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106487 | 申請日: | 1985-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN85106487A | 公開(公告)日: | 1987-03-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山本雅一 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H05K3/34 | 分類號: | H05K3/34 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 郁玉成 |
| 地址: | 日本東京都千代*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 制成 它們 加工 方法 | ||
1、一種用于裝配半導體器件的組件板。其中,所述組件板包括在它表面上的:
用于分別焊接多個半導體器件的多組釬焊焊接點;
分別環(huán)繞著所述多組釬焊焊接點而設置的多個技術交換焊接點;
以及電絕緣的一些過渡焊區(qū)。
2、一種根據權利要求1的組件板,其中,所述過渡焊區(qū)的數目是所述技術交換焊接點數目的一半或更多,所述技術交換焊接點是設置在最靠近所述釬焊焊接點組周圍的區(qū)域。
3、一種根據權利要求1的組件板,其中,所述過渡焊區(qū)被制成象狹長構造那樣的形狀,在它的中間有一凹入部分。
4、一種根據權利要求1的組件板,其中,所述過渡焊區(qū)設置在環(huán)繞著所述技術交換焊接點區(qū)域的周圍。
5、一種根據權利要求1的組件板,其中,所說的組件板是一個在該組件板內部包含一組導電層的多層結構,用來在所說釬焊焊接點組中的任何一個釬焊焊接點和一組所說技術交換焊接點中的各自的技術交換焊點之間作電氣聯(lián)接。
6、一種組件,它有著多個半導體器件以及一塊用于安裝多個所述半導體器件的組件板,其中,所述組件包括在它表面上的:
用于分別釬焊多個所述半導體器件的多組釬焊焊接點;
分別環(huán)繞著所述多組釬焊焊接點而設置的多個技術交換焊接點;以及
電絕緣的一些過渡焊區(qū)和修補線,其中,通過所述釬焊焊接點組,多個所述半導體器件中的每一個連接到所述組件板上,並且通過一所述過渡焊區(qū),利用一所述修補線,來完成一技術交換焊接點與另一電路元件之間的電的連接,所述技術交換焊接點設置在最靠近所述半導體器件中預定的一個半導體器件(以后稱作第一個半導體器件)的周圍部分,而所述另一電路元件是要電氣地連接到所述第一個半導體器件。
7、一種根據權利要求6的組件,其中,以設置在最靠近所述的第一個半導體器件周圍區(qū)域的技術交換焊接點為一方,而以設置在最靠近所述第一個半導體器件作電連接的另一個預定的半導體器件(后文稱作第二個半導體器件)周圍區(qū)域的技術交換焊接點為另一方,利用所述修補線,通過所述過渡焊區(qū),把雙方作電連接。
8、一種根據權利要求6的組件,其中,所述過渡焊接點的數目是設置在最靠近所述釬焊焊接點組周圍區(qū)域的所述技術交換焊接點數目的一半或更多。
9、一種根據權利要求6的組件,其中,所述過渡焊區(qū)各自有一中部凹入的狹長結構,並被設置在所述技術交換焊接點周圍區(qū)域。
10、一種在組件內連接電路系統(tǒng)的方法,該方法利用一組件板,在板的表面設置有用于釬焊半導體器件的多個釬焊焊接點組,該組件板還有著設置在所述多個釬焊焊接點組各自周圍區(qū)域的技術交換焊接點組,以及設置在環(huán)繞所述技術交換焊接點組區(qū)域的周圍部分的過渡焊區(qū)組,該方法包括下列步驟:
連接修補線的一端到最靠近一半導體器件周圍區(qū)域中的一個技術交換焊接點;
連接所述修補線的另一端到所述過渡焊區(qū)組中的一個焊區(qū);以及
把一根已連接到一電路元件的修補線與所述過渡焊區(qū)組中的所述一個焊區(qū)相連,該電路元件是設置在所述組件板上且準備和所述半導體器件作電連接的,從而實現了所述電路元件與所述半導體器件的電連接。
11、一種在組件內連接電路系統(tǒng)的方法,該方法利用一組件板,在板的表面設置有用于釬焊半導體器件的多個釬焊焊接點組,該組件板還有著設置在所述多個釬焊焊接點組各自周圍區(qū)域的技術交換焊接點組,以及設置在環(huán)繞所述技術交換焊接點組區(qū)域的周圍部分的過渡焊區(qū)組,該方法包括下列步驟:
連接一修補線的一端到一最靠近半導體器件的周圍區(qū)域中的一個技術交換焊接點上;
連接所述修補線的另一端到繞著最靠近上述半導體器件的周圍區(qū)域的上述技術交換焊接點的一個過渡焊接區(qū)上;
連接另一修補線的一端到設置在最靠近另一半導體器件周圍區(qū)域的技術交換焊接點中的另一個上;以及
連接所述另一修補線的另一端到所述過渡焊區(qū)組中的所述一個過渡焊區(qū)上,從而把設置在最靠近所述半導體器件周圍區(qū)域中各自的技術交換焊接點連接起來。
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