[其他]制造半導(dǎo)體器件的裝置及其使用方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85106110 | 申請(qǐng)日: | 1985-08-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85106110B | 公開(公告)日: | 1987-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林三男;薄田修;佐野芳彥;渥美幸一郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L21/603 | 分類號(hào): | H01L21/603 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人: | 余剛 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 半導(dǎo)體器件 裝置 及其 使用方法 | ||
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。
在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)中,半導(dǎo)體元件(或稱芯片)的電極層和外引線之間是靠一根金制焊線連接的。但是,當(dāng)采用金絲時(shí),會(huì)出現(xiàn)如下一些問題。
(1)當(dāng)金制焊線在高溫下被壓焊時(shí),在鋁電極層和金制焊線之同會(huì)形成一種金和鋁的金屬間化合物。由于這種原因,該壓焊區(qū)的導(dǎo)電性能降低。
(2)即使該金制焊線本身不被氧化,但由于壓焊區(qū)的電性能下降,該半導(dǎo)體器件的可靠性也會(huì)受到影響。
(3)由于在壓焊處理后形成了一種金和鋁的金屬間化合物,這樣就不可能制造出具有穩(wěn)定電性能的半導(dǎo)體器件。
(4)昂貴的金制焊絲會(huì)增加半導(dǎo)體器件的成本。
為解決上述問題,日本專利申請(qǐng)NO55-88318中所提出的方法是,使預(yù)期的壓焊區(qū)部分活化,以及在電極層和銅引線框之間能用銅焊絲連通。但是,根據(jù)該技術(shù),由于在銅焊絲上形成了一種氧化物,所以會(huì)發(fā)生壓焊失效現(xiàn)象。同時(shí),難以在銅焊絲的末端形成預(yù)定大小的球狀體,從而導(dǎo)致虛焊。另外,每進(jìn)行一次壓焊,都需對(duì)預(yù)定壓焊區(qū)進(jìn)行活化,這樣勢(shì)必降低生產(chǎn)效率。
在日本專利申請(qǐng)NO57-51237中,壓焊絲穿過一根毛細(xì)管該毛細(xì)管的末端被引入裝在罩中的還原氣體里,以期得成理想的球狀體。同時(shí),防止了金屬壓焊絲的氧化,從而完成了壓焊※據(jù)這種常規(guī)技術(shù),需要一種包括用來容納還原氣體的外罩的復(fù)雜裝置。而且當(dāng)壓焊速度在1秒或更短時(shí),常常發(fā)生壓焊失效,因此操作不便。此外,在引線框上的氧化物不能被清除,所以銅焊線與銅引線框之間的壓焊不能達(dá)到較高的可靠性。
本發(fā)明的目的是提供一種制造半導(dǎo)體器件的裝置,由其制造的半導(dǎo)體器件的金屬焊線壓焊可靠性高,成本低,壓焊區(qū)強(qiáng)度高。
為達(dá)到本發(fā)明之上述目的,特提供一種制造半導(dǎo)體器件的裝置。其中,半導(dǎo)體芯片電極層和引線框的外引線之間用壓焊絲連通。該裝置包括:
一個(gè)用于沿傳送方向傳送引線框的傳送通道,該通道具有一個(gè)金屬焊線壓焊位置和一個(gè)后步壓焊位置,這兩個(gè)位置沿傳送方向是相互分離開的。
球狀體形成裝置;它在金屬絲壓焊位置加熱銅或銅合金的壓焊絲,并在該壓焊絲的兩端形成球狀體。
壓焊金屬絲的進(jìn)料裝置;它用于將壓焊金屬絲的球狀體壓焊到電極層上。
壓焊裝置,它在后部壓焊位置把該壓焊金屬絲的球狀體壓焊在外引線上。
氣體供給裝置;它向金屬絲壓焊位置提供一種還原性氣體或惰性氣體,并且使上述氣體包圍該壓焊金屬絲和球狀體。
根據(jù)本發(fā)明,通過一種簡(jiǎn)便的裝置,便可將銅或銅合金的焊絲壓焊到半導(dǎo)體器件的電極層和引線框的外引線而且不會(huì)導(dǎo)致虛焊。因此可制造出一種在熱循環(huán)試驗(yàn)或高溫輻射試驗(yàn)中具有高耐用性的半導(dǎo)體器件。由于低成本的銅合金可用來作為壓焊金屬絲和引線框的材料,因而,這種半導(dǎo)體器件有可能做到低價(jià)高效。進(jìn)而,一種具有高可靠性的塑料封裝的大功率半導(dǎo)體器件也就容易制造了。
圖1表示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種制造半導(dǎo)體器件的裝置全貌圖。
圖2至6是分別表示制造半導(dǎo)體器件各個(gè)步驟的縱向剖視圖。
圖7是裝配半導(dǎo)體器件的平面圖。
圖8是一個(gè)燃燒器的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖9A表示一根壓焊金屬絲的壓焊區(qū)。
圖9B是一個(gè)坐標(biāo)圖,它表示出壓焊區(qū)直徑與半導(dǎo)體器件失效率之間的關(guān)系。
圖10A和10B表示壓焊金屬絲延伸到電極層中的深度。
圖10C是一個(gè)坐標(biāo)圖,它表示延伸到電極層中的壓焊金屬絲長度與半導(dǎo)體器件產(chǎn)品失效率之間的關(guān)系。
圖11是一個(gè)坐標(biāo)圖,它表示電極層厚度與半導(dǎo)體器件失效率之間的關(guān)系。
圖12是一個(gè)坐標(biāo)圖,它表示高溫輻射試驗(yàn)的結(jié)果。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝,未經(jīng)株式會(huì)社東芝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/85106110/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





