[其他]制造半導體器件的裝置及其使用方法

無效

• 申請號: 85106110
• 申請日: 1985-08-13
• 公開（公告）號: CN85106110B
• 公開（公告）日: 1987-12-09
• 發明（設計）人: 小林三男;薄田修;佐野芳彥;渥美幸一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 余剛

1、一種制造半導體器件的裝置，其壓焊金屬絲連結在半導體元件的電極層和引線框的外引線之間，該裝置包括：

球狀體形成裝置，它在金屬絲壓焊位置加熱銅或銅合金壓焊絲，并在該壓焊金屬絲的兩端形成球狀體;

金屬絲的進料裝置，它用來向所述的金屬絲壓焊位置提供壓焊金屬絲，并把金屬絲上的球狀體壓焊到電極上;

壓焊裝置，它在后步壓焊位置將壓焊金屬絲的球狀體壓焊到外引線上;

其特征在于包括：

一個傳送通道，由一個大體為園柱形的外罩所構成，具有沿傳送方向相互分離開的金屬絲壓焊位置和后步壓焊位置，在對應金屬絲壓焊位置的外罩部位上有一個窗口，以使金屬絲能穿過它進入該傳送通道，所述傳送通道用來沿一個傳送方向傳送引線框;

氣體供給裝置，它用來向所述的金屬絲壓焊位置和后步壓焊位置提供還原性氣體或惰性氣體，并使該還原氣體或惰性氣體包圍金屬絲和球狀體。

2、一種依照權利要求1的裝置，其特征在于還包括加熱裝置，它位于所述金屬絲壓焊位置和后步壓焊位置處，用來加熱引線框。

3、一種依照權利要求1的裝置，其特征在于該還原氣體是由5%～20%的H₂氣和95%～80%的N₂氣混合組成的。

4、一種依照權利要求1的裝置，其特征在于所述傳送通道包括在沿傳送方向上的金屬絲壓焊位置之前的一個管芯焊接位置，所述氣體供給裝置為管芯焊接位置提供還原氣體或惰性氣體，以便由它們包圍半導體元件和引線框。

5、一種依照權利要求4的裝置，其特征在于包括一個半導體元件的裝片裝置，用于向所述管芯焊接位置提供半導體元件，并將該元件裝在引線框上。

6、一種依照權利要求1的裝置，其特征在于所述球狀體形成裝置包括一個雙重結構的燃燒器，它有一內管和一置于該內管外部的外管，H₂和O₂氣的混合體以2∶1的混合片從內管中噴出形成氫氧焰，而O₂氣和N₂氣的混合氣體以20%至100%∶80%至0%的比例相混合從外管和內管空間的空隙中噴出，以形成包圍氫氧焰的氣罩。

7、一種依照權利要求1的裝置，其特征在于所述窗口的開口面積是可變的，而且當燃燒器熔化金屬絲而形成球懷體時，開口面積縮小以使該球狀體被還原氣體所包圍。

8、權利要求1所述的制造半導體器件的裝置的使用方法，其特征在于：

加熱裝置將還原氣體的溫度保持在不低于200℃，用所述壓焊金屬絲進料裝置對金屬絲旋加壓力而將其球狀體壓焊到電極層上以使球狀體的二部分延伸到電極層內0.4～3um，并且使球狀體和電極層的壓焊區直徑不小于壓焊金屬絲直徑的兩倍，用所述壓焊裝置，將金屬絲的球狀體壓焊在外引線上且使球狀體的一部分延伸到外引線內20～50um。

9、按照權利要求8的使用方法，其特征在于所述壓焊金屬絲進料裝置對金屬絲施加50～100克的負荷。

10、依照權利要求8的使用方法，其特征在于所述壓焊裝置對金屬絲施加300～500克的負荷。