[其他]半導體集成電路的圖形設計方法和器件

無效

• 申請號: 85104935
• 申請日: 1985-06-27
• 公開（公告）號: CN85104935B
• 公開（公告）日: 1988-02-03
• 發明（設計）人: 姐齒伸彥;馬場重典
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L27/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 張衛民

1、一種在標準單元法的基礎之上采用不同類型的標準單元制造半導體集成電路器件的方法，其特征在于包括以下步驟：

a）在每一標準單元的一側提供一對具有預定大小和位置的區域用于分別接受正和負電壓;

b）采用預先存儲的單元圖形信息按照所希望的配置實際布置標準單元進行器件的電路設計;

c）逐行檢查上述標準單元，在同一行內找出具有相鄰正、負電壓區域的標準單元對，按照步驟d）重疊上述區域，待各行均處理完畢后進行步驟e）

d）將上述標準單元對中距該行一端較遠的一個單元移向該端，這樣使該單元對共享同一對區域，再移動位于該單元和該行另一端之間的其它單元以填補以上移動該單元而空出的空間;和

e）利用由以上過程確定的單元位置在半導體器件芯片上產生所需形成的電路的真實圖形。

2、一種如權利要求1中所要求的方法，其中該過程從步驟b）開始，并采用預先配有上述成對區域的標準單元。

3、一種如權利要求1中所要求的方法，其中所述步驟a）包括提供一種新的標準單元圖形，它是某一上述標準單元的反轉（翻轉電路）。

4、一個半導體集成電路器件，該器件是在權利要求1所定義方法的基礎之上制成，其特征在于包括：

至少兩種標準單元是在其一側配有一對區域用于分別接受正和負電壓，該對區域的形狀和位置被確定為可與分別提供正和負電壓的一對預定總線相連接;

至少有一對相鄰配置在一行中的標準單元，該對標準單元相互間共享同一對上述區域。