[其他]一種定向凝固生長太陽能電池用的多晶硅錠工藝

無效

• 申請號: 85100529
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100529A
• 公開（公告）日: 1986-08-13
• 發明（設計）人: 唐厚舜;佘夕同
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種使用涂有脫模劑的石墨模具以定向凝固法生長用于太陽能電池的多晶硅錠的工藝，其特征在于采用涂有高純度的氮化硅脫模劑的組合式石墨模具，在多晶硅錠制作過程中除充入氬氣外還充入高純度的氮氣提高氮化硅的耐高溫性能，在下移組合式模具的同時以水冷卻方式調節多晶硅錠生長所需的熱場，得到無氣孔、無裂縫、高純度的完整的多晶硅錠。

2、根據權利要求1所述的多晶硅錠生長工藝，其特征在于所說的脫模劑氮化硅是將硅粉經混合酸的水溶液浸泡，在氮化硅籽粉催化下高溫氮化、研細、混合酸的水溶液的再浸泡后得到的高純度的氮化硅。

3、根據權利要求2所述的多晶硅錠生長工藝，其特征在于所說的混合酸水溶液由鹽酸、硝酸和水組成。

4、根據權利要求2或3所述的多晶硅錠生長工藝，其特征在于所說的氮化硅涂料由高純度氮化硅粉料和調料去離子水或含重量百分比為0.05%至5%的經陽離子交換樹脂提純的聚乙烯醇的水溶液調制而成。

5、根據權利要求1所述的多晶硅錠生長工藝，其特征在于所說的提高氮化硅耐高溫性能是充入了0.1至4公斤的分壓的高純氮氣而實現的。

6、根據權利要求5所述的多晶硅錠生長工藝，其特征在于熔化時模具懸掛，凝固時模具支撐在水冷卻的下轉軸上，所需熱場的調節由下移模具和同時調節冷卻水流速的方式達到。

7、一種用于權利要求1所述的多晶硅錠生長工藝的組合式石墨模具，其特征在于組合式模具由高純度、高強度、高細密性的石墨制成，其形狀可為方柱筒形，模具尺寸應與熔鑄爐爐膛相匹配。

8、根據權利要求7所述的組合式石墨模具，其特征在于所說的方柱筒形模具由上頂板7、下底板9、前墻板8-2、后墻板8-4、左墻板8-1、右墻板8-3六塊石墨組件和石墨螺栓組成。

9、根據權利要求8所述的組合式石墨模具，其特征在于所說的上頂板7或下底板9與墻板間的聯接由溝槽嵌合和石墨螺栓固定，墻板間以凹凸相嵌的手段相聯接。