[其他]非晶硅攝像靶及制造方法無效
| 申請號： | 85100514 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100514A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 吳宗炎;沈月華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | H01J31/26 | 分類號： | H01J31/26;H01J9/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅 攝像 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種屬于電真空器件領域的非晶硅攝像靶，含有光電導層、空穴阻擋層，其特征在于省去電子阻擋層。
2、按權利要求1所述的非晶硅攝像靶，其特征在于光電導層是由氫氣攜帶赤磷蒸氣，與SiH4混合后進入反應室，再在輝光放電下分解制備n型非晶硅制成的。
3、按權利要求1所述的非晶硅攝像管，其特征在于空穴阻擋層是用Ga、In或BBr3蒸氣，由氫氣攜帶，與SiH4混合后進入反應室，再在輝光放電下分解制備的高阻非晶硅。
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