[實用新型]承載裝置及晶圓檢測設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202320675420.4 | 申請日: | 2023-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN219575605U | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳思鄉(xiāng);雷傳;吳燦;杜振東;孟恒 | 申請(專利權(quán))人: | 長川科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海港慧專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31402 | 代理人: | 楊鍇 |
| 地址: | 215124 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 承載 裝置 檢測 設(shè)備 | ||
1.一種承載裝置,其特征在于,包括:
底座;
載片臺,安裝于所述底座,所述載片臺具有用于承載晶圓的承載面,且所述承載面開設(shè)有多個沿軸向貫穿所述載片臺的避位孔,所述承載裝置能夠在所述承載面上形成正壓或負壓;及
頂升機構(gòu),包括驅(qū)動組件及分別穿設(shè)于多個所述避位孔內(nèi)的頂桿,所述驅(qū)動組件與多個所述頂桿傳動連接,并能夠驅(qū)動多個所述頂桿沿所述避位孔升降,以使多個所述頂桿伸出于所述承載面或回縮至所述承載面的下方;
其中,多個所述頂桿的頂端共同限定一平行于所述承載面的支撐平面,且所述頂桿的頂端能夠形成負壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述載片臺與所述底座之間圍設(shè)成容置空間,所述驅(qū)動組件設(shè)置于所述容置空間內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載面上開設(shè)有吸附槽,所述吸附槽的底部開設(shè)有氣孔,所述載片臺的內(nèi)部形成有與所述氣孔連通的氣道,所述氣道能夠連通負壓氣源或正壓氣源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置,其特征在于,所述吸附槽包括多個同心設(shè)置的環(huán)形槽,且每個所述環(huán)形槽的底部均開設(shè)有所述氣孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的承載裝置,其特征在于,所述氣道設(shè)置有多個,且多個所述氣道分別與多個不同半徑范圍內(nèi)的所述環(huán)形槽內(nèi)的所述氣孔連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,每個所述頂桿的中部形成有延伸至頂端的通道,且每個所述頂桿的頂端設(shè)置有與所述通道連通的吸盤,所述通道能夠連通負壓氣源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述驅(qū)動組件包括:
動力件;
驅(qū)動塊,設(shè)置于所述動力件的驅(qū)動端,所述動力件能夠驅(qū)動所述驅(qū)動塊沿所述載片臺的徑向移動;
升降盤,沿所述頂桿的延伸方向可滑動地安裝于所述底座,多個所述頂桿安裝于所述升降盤;
傳動件,固定于所述升降盤并與所述驅(qū)動塊配合,以在所述動力件的驅(qū)動下帶動所述升降盤沿所述頂桿的延伸方向滑動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的承載裝置,其特征在于,所述驅(qū)動塊表面開設(shè)有凸輪槽,所述傳動件包括可滑動地設(shè)置于所述凸輪槽內(nèi)的隨動器。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的承載裝置,其特征在于,所述升降盤通過多個導(dǎo)向組件可滑動地安裝于所述底座,每個所述導(dǎo)向組件包括導(dǎo)桿、導(dǎo)向套及預(yù)緊件,所述導(dǎo)桿固定于所述底座并沿所述頂桿的延伸方向延伸,所述導(dǎo)向套固定于所述升降盤并可滑動地套設(shè)于所述導(dǎo)桿,所述預(yù)緊件安裝于所述導(dǎo)桿并為所述升降盤提供向下的預(yù)緊力。
10.一種晶圓檢測設(shè)備,其特征在于,包括供氣系統(tǒng)及如上述權(quán)利要求1至9任一項所述的承載裝置,所述供氣系統(tǒng)能夠向所述承載裝置提供負壓氣源或正壓氣源,以在所述承載面形成負壓或正壓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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