[實用新型]一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備有效
| 申請號: | 202320628671.7 | 申請日: | 2023-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN219326818U | 公開(公告)日: | 2023-07-11 |
| 發明(設計)人: | 富之柢;盧怨誼 | 申請(專利權)人: | 北京茂孚工業控制技術中心 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/56 |
| 代理公司: | 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 胡慶波 |
| 地址: | 100000 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 雙水內冷 小口徑 電弧 離子 沉積 設備 | ||
本實用新型涉及金屬表面處理設備技術領域,公開了一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備,包括底座、水冷陽極靶組件、水冷陰極靶組件和依次連通設置的真空室、左側波紋管、左側高壓防護管、中間高壓防護管、右側高壓防護管、右側波紋管和電弧沉積室,所述真空室和電弧沉積室分別與底座滑動連接;所述水冷陽極靶組件的一端與真空室固定連接,所述水冷陽極靶組件的延長段依次穿過左側波紋管、左側高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內的細長管件內;本實用新型提供的一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備,解決了現有技術中對于細長管件的內壁鍍膜非常困難的問題。
技術領域
本實用新型涉及金屬表面處理設備技術領域,具體涉及一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備。
背景技術
傳統的電弧離子鍍設備主要由真空室、陰極弧源系統、真空泵組及電氣控制系統組成。其基本技術原理就是將金屬蒸發源作為陰極弧源,當真空室內的壓強達到1~0.1Pa時,在陰極弧源上通以負電壓,在真空室壁通上正電壓,使陰極弧源與陽極殼體之間形成弧光放電,從而使靶材蒸發離化,正離子在負高壓電場的作用下,被吸引到工件上進行沉積鍍覆,從而改變了工件表面的性狀。現有設備的結構是真空室大而工件小,將被鍍工件置于真空室之中。這種設備的結構就決定了對被鍍工件的外表面進行涂層的電弧離子沉積很容易,但對管狀工件的內表面進行涂層的電弧離子沉積就遇到了困難,由于管狀工件外壁對為正極的真空室室壁的隔絕,阻擋了離子云進入管內,使得管狀工件的內壁鍍膜非常困難,尤其是對小口徑、長管件內壁的涂層電弧沉積幾乎不可能。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備,用以解決現有技術中存在的至少一個上述問題。
為了實現上述目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種帶有雙水內冷小口徑管件電弧離子沉積設備,包括底座、水冷陽極靶組件、水冷陰極靶組件和依次連通設置的真空室、左側波紋管、左側高壓防護管、中間高壓防護管、右側高壓防護管、右側波紋管和電弧沉積室,所述真空室和電弧沉積室分別與底座滑動連接;
所述水冷陽極靶組件的一端與真空室固定連接,所述水冷陽極靶組件的延長段依次穿過左側波紋管、左側高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內的細長管件內,所述水冷陰極靶組件的一端與電弧沉積室固定連接,所述水冷陰極靶組件的延長段依次穿過右側波紋管、右側高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內的細長管件內。
本技術方案中,由于真空室和電弧沉積室分別與底座滑動連接,水冷陽極靶組件的一端與真空室固定連接,水冷陰極靶組件的一端與電弧沉積室固定連接,則通過真空室和電弧沉積室在底座上的位置移動可實現對水冷陽極靶組件和水冷陰極靶組件的位置移動;左側波紋管和右側波紋管的設置在保證了密封效果的同時能夠為真空室和電弧沉積室的移動提供可移動伸縮量;中間高壓防護管的設置能夠方便實現對細長管件的安裝,在需要更換細長管件時,通過對中間高壓防護管兩端進行拆卸即可;由于水冷陽極靶組件的延長段依次穿過左側波紋管、左側高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內的細長管件內,水冷陰極靶組件的延長段依次穿過右側波紋管、右側高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內的細長管件內,因此,在水冷陽極靶組件和水冷陰極靶組件的位置移動的過程中實現了對水冷陽極靶組件和水冷陰極靶組件延長端上的水冷陽極和水冷陰極在細長管件內的位置調整,也即是,水冷陽極和水冷陰極之間的距離可調并且能夠在細長管件內移動,從而使得涂層均勻、致密,從而解決現有技術中對于細長管件的內壁鍍膜非常困難的問題。
此外,由于左側波紋管、左側高壓防護管、中間高壓防護管、右側高壓防護管、右側波紋管本身替代了大部分真空室,且將細長管件設置在真空室外,與現有的將待鍍工件放置在真空室內完全不同,本設計很大程度上縮小了真空室的體積,使抽真空的進程加快,進而提高了工作效率。
進一步的,為了方便將細長管件定位安裝在中間高壓防護管內,所述細長管件通過管件支撐件定位在中間高壓防護管內。
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