[實用新型]一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202320628671.7 | 申請日: | 2023-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN219326818U | 公開(公告)日: | 2023-07-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 富之柢;盧怨誼 | 申請(專利權)人: | 北京茂孚工業(yè)控制技術中心 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/56 |
| 代理公司: | 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 胡慶波 |
| 地址: | 100000 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 雙水內(nèi)冷 小口徑 電弧 離子 沉積 設備 | ||
1.一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:包括底座、水冷陽極靶組件、水冷陰極靶組件和依次連通設置的真空室、左側(cè)波紋管、左側(cè)高壓防護管、中間高壓防護管、右側(cè)高壓防護管、右側(cè)波紋管和電弧沉積室,所述真空室和電弧沉積室分別與底座滑動連接;
所述水冷陽極靶組件的一端與真空室固定連接,所述水冷陽極靶組件的延長段依次穿過左側(cè)波紋管、左側(cè)高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內(nèi)的細長管件內(nèi),所述水冷陰極靶組件的一端與電弧沉積室固定連接,所述水冷陰極靶組件的延長段依次穿過右側(cè)波紋管、右側(cè)高壓防護管后伸入位于中間高壓防護管內(nèi)的細長管件內(nèi)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述細長管件通過管件支撐件定位在中間高壓防護管內(nèi)。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述左側(cè)高壓防護管和中間高壓防護管之間設有第一連接管,所述右側(cè)高壓防護管和中間高壓防護管之間設有第二連接管;所述底座上分別設有第一對中裝置和第二對中裝置,所述第一對中裝置對第一連接管進行支撐,所述第二對中裝置對第二連接管進行支撐。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述管件支撐件設有兩個,分別為左側(cè)管件支撐件和右側(cè)管件支撐件,所述左側(cè)管件支撐件和右側(cè)管件支撐件分別位于第一連接管和第二連接管內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求3所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述第一對中裝置和第二對中裝置均為可調(diào)升降結(jié)構。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述左側(cè)高壓防護管和右側(cè)高壓防護管分別通過左側(cè)支撐架和右側(cè)支撐架固定安裝在底座上。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述水冷陽極靶組件通過連接法蘭固定在真空室內(nèi),所述水冷陰極靶組件通過連接法蘭固定在電弧沉積室內(nèi)。
8.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述真空室和電弧沉積室的下端分別設有滑塊,所述底座上對應的位置分別設有滑軌,所述滑塊與對應的滑軌滑動配合。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述水冷陽極靶組件與弧源電源的正極連接,所述水冷陰極靶組件與弧源電源的負極連接。
10.根據(jù)權利要求1所述的一種帶有雙水內(nèi)冷小口徑管件電弧離子沉積設備,其特征在于:所述水冷陰極靶組件上靠近水冷陰極的位置設有引弧裝置,所述引弧裝置采用高功率脈沖方式,引弧脈沖峰值高達20Kv。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





