[實用新型]一種半導體廢氣處理設備耐高溫透氣反應內腔體有效
| 申請號： | 202320368344.2 | 申請日： | 2023-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN219333745U | 公開（公告）日： | 2023-07-14 |
| 發明（設計）人： | 崔漢博;崔漢寬 | 申請（專利權）人： | 上海高笙集成電路設備有限公司 |
| 主分類號： | B01D53/76 | 分類號： | B01D53/76 |
| 代理公司： | 上海老虎專利代理事務所(普通合伙) 31434 | 代理人： | 馬文峰 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 廢氣 處理 設備 耐高溫 透氣 反應 內腔體 | ||
1.一種半導體廢氣處理設備耐高溫透氣反應內腔體，其特征在于：包括反應腔主體(1)，所述反應腔主體(1)包括內壁層(2)、基礎層(3)、保溫、隔熱層(4)和外保護層(5)，所述內壁層(2)安裝在基礎層(3)內側，所述保溫、隔熱層(4)安裝在基礎層(3)外側，所述外保護層(5)安裝在保溫、隔熱層(4)外側；
所述內壁層(2)內部設有混合腔體(6)，所述混合腔體(6)包括中部腔體(7)、頂部腔體(8)和底部腔體(9)，所述頂部腔體(8)安裝在中部腔體(7)頂部，所述底部腔體(9)安裝在中部腔體(7)底部，所述中部腔體(7)呈圓形狀結構，所述頂部腔體(8)和底部腔體(9)均呈漏斗狀結構，所述中部腔體(7)、頂部腔體(8)和底部腔體(9)均為貫通式結構。
2.根據權利要求1所述的一種半導體廢氣處理設備耐高溫透氣反應內腔體，其特征在于：所述中部腔體(7)、頂部腔體(8)和底部腔體(9)內側均設有第一陶瓷層(10)。
3.根據權利要求1所述的一種半導體廢氣處理設備耐高溫透氣反應內腔體，其特征在于：所述保溫、隔熱層(4)包括第一錫紙層(11)、聚丙烯發泡材料(12)和第二錫紙層(13)，所述第一錫紙層(11)安裝在聚丙烯發泡材料(12)內側，所述第二錫紙層(13)安裝在聚丙烯發泡材料(12)外側。
4.根據權利要求1所述的一種半導體廢氣處理設備耐高溫透氣反應內腔體，其特征在于：所述外保護層(5)包括防護管(14)和第二陶瓷層(15)，所述第二陶瓷層(15)安裝在防護管(14)外側。
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